Datasheets - Bipolare Einzeltransistoren

Unterabschnitt: "Bipolare Einzeltransistoren"
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  1. NPN-Silizium-Epitaxie-Planartransistoren
  2. NPN-Silizium-Epitaxie-Planartransistoren
  1. Datasheet Diodes FMMT717TA
    PNP, 12 V, 2,5 A, SOT23
  2. Datasheet Diodes FMMT717QTA
    PNP, 12 V, 2,5 A, SOT23
  3. PNP, 12 V, 2,5 A, SOT23
  4. Datasheet Diodes FMMT717
    PNP, 12 V, 2,5 A, SOT23
  5. Supermatch-Paar LM194 und LM394 sind extrem gut angepasste monolithische NPN-Transistorpaare mit Sperrschichtisolierung und einer um eine Größenordnung verbesserten Anpassung gegenüber herkömmlichen Transistorpaaren. Dies wurde durch ...
  6. Supermatch-Paar LM194 und LM394 sind extrem gut angepasste monolithische NPN-Transistorpaare mit Sperrschichtisolierung und einer um eine Größenordnung verbesserten Anpassung gegenüber herkömmlichen Transistorpaaren. Dies wurde durch ...
  7. Supermatch-Paar LM194 und LM394 sind extrem gut angepasste monolithische NPN-Transistorpaare mit Sperrschichtisolierung und einer um eine Größenordnung verbesserten Anpassung gegenüber herkömmlichen Transistorpaaren. Dies wurde durch ...
  8. Supermatch-Paar LM194 und LM394 sind extrem gut angepasste monolithische NPN-Transistorpaare mit Sperrschichtisolierung und einer um eine Größenordnung verbesserten Anpassung gegenüber herkömmlichen Transistorpaaren. Dies wurde durch ...
  9. Supermatch-Paar LM194 und LM394 sind extrem gut angepasste monolithische NPN-Transistorpaare mit Sperrschichtisolierung und einer um eine Größenordnung verbesserten Anpassung gegenüber herkömmlichen Transistorpaaren. Dies wurde durch ...
  10. Hochstrom-PNP-Bipolartransistor Dieser PNP-Bipolartransistor ist für den Einsatz in Industrie- und Verbraucheranwendungen konzipiert. Das Gerät ist im TO-92-Gehäuse untergebracht, das für Anwendungen mit mittlerer Leistung ausgelegt ist.
  11. Hochstrom-PNP-Bipolartransistor Dieser PNP-Bipolartransistor ist für den Einsatz in Industrie- und Verbraucheranwendungen konzipiert. Das Gerät ist im TO-92-Gehäuse untergebracht, das für Anwendungen mit mittlerer Leistung ausgelegt ist.
  12. Hochstrom-PNP-Bipolartransistor Dieser PNP-Bipolartransistor ist für den Einsatz in Industrie- und Verbraucheranwendungen konzipiert. Das Gerät ist im TO-92-Gehäuse untergebracht, das für Anwendungen mit mittlerer Leistung ausgelegt ist.
  13. Hochstrom-PNP-Bipolartransistor Dieser PNP-Bipolartransistor ist für den Einsatz in Industrie- und Verbraucheranwendungen konzipiert. Das Gerät ist im TO-92-Gehäuse untergebracht, das für Anwendungen mit mittlerer Leistung ausgelegt ist.
  14. Hochstrom-PNP-Bipolartransistor Dieser PNP-Bipolartransistor ist für den Einsatz in Industrie- und Verbraucheranwendungen konzipiert. Das Gerät ist im TO-92-Gehäuse untergebracht, das für Anwendungen mit mittlerer Leistung ausgelegt ist.
  15. Hochstrom-PNP-Bipolartransistor Dieser PNP-Bipolartransistor ist für den Einsatz in Industrie- und Verbraucheranwendungen konzipiert. Das Gerät ist im TO-92-Gehäuse untergebracht, das für Anwendungen mit mittlerer Leistung ausgelegt ist.
  16. isc Silizium-NPN-Darlington-Leistungstransistor Vorgesehen für allgemeine Verstärker- und Niederfrequenzschaltanwendungen, wie z. B. lineare und schaltende Industrieausrüstung.
  17. Bipolarer PNP-Leistungstransistor mit 5,0 A, 25 V Der bipolare Leistungstransistor ist für Niederspannungs-, Niederleistungs- und High-Gain-Audioverstärkeranwendungen ausgelegt. MJE200 (NPN) und MJE210 (PNP) sind komplementäre Geräte.
  18. Bipolarer PNP-Leistungstransistor mit 5,0 A, 25 V Der bipolare Leistungstransistor ist für Niederspannungs-, Niederleistungs- und High-Gain-Audioverstärkeranwendungen ausgelegt. MJE200 (NPN) und MJE210 (PNP) sind komplementäre Geräte.