Datasheets - Bipolare Einzeltransistoren
Unterabschnitt: "Bipolare Einzeltransistoren"
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- VHF/UHF-Transistor im Silizium-NPN-TO-72-Gehäuse
- NPN-Transistor-Darlington-Leistungsverstärker NTE243 (NPN) und NTE244 (PNP) sind komplementäre Silizium-Darlington-Transistoren in einem TO3-Gehäuse, die für allgemeine Verstärker- und Niederfrequenz-Schaltanwendungen entwickelt wurden.
- PNP-Transistor-Darlington-Leistungsverstärker NTE243 (NPN) und NTE244 (PNP) sind komplementäre Silizium-Darlington-Transistoren in einem TO3-Gehäuse, die für allgemeine Verstärker- und Niederfrequenz-Schaltanwendungen entwickelt wurden.
- NPN-Siliziumtransistor mit eingebauten Vorspannungswiderständen
- Schalttransistor MPS3646
- Schalttransistor MPS3646
- Schalttransistor MPS3646
- Schalttransistor MPS3646
- Schalttransistoren MPS2369
- Schalttransistoren MPS2369
- Schalttransistoren MPS2369
- Schalttransistoren MPS2369
- Schalttransistoren MPS2369A
- Schalttransistoren MPS2369A
- Schalttransistoren MPS2369A
- Schalttransistoren MPS2369A
- 50 mA, 20 V PNP-HF-Bipolar-Sperrschichttransistor Der 50 mA, 20 V PNP-HF-Bipolar-Sperrschichttransistor ist für allgemeine HF-Verstärker- und Mischeranwendungen bis 250 MHz mit Kollektorströmen im Bereich von 1,0 mA bis 30 mA ausgelegt. Aus Prozess ...
- NPN-VHF/UHF-Transistor zur Oberflächenmontage Entwickelt für VHF/UHF-Verstärkeranwendungen und VHF-Oszillatoren mit hoher Ausgangsleistung
80 V, 1 A PNP-Mittelleistungstransistor PNP-Transistor mittlerer Leistung in einem SOT89-SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device). NPN-Ergänzung: BCX56.- 80 V, 1 A PNP-Mittelleistungstransistor PNP-Transistor mittlerer Leistung in einem SOT89-SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device). NPN-Ergänzung: BCX56.