Datasheets - Bipolare Einzeltransistoren
Unterabschnitt: "Bipolare Einzeltransistoren"
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Komplementäre PNP-Leistungstransistoren aus Siliziumplastik- Komplementäre PNP-Leistungstransistoren aus Siliziumplastik
- Komplementäre PNP-Leistungstransistoren aus Siliziumplastik
- Komplementäre NPN-Siliziumplastik-Leistungstransistoren
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- 20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) NPN-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) PNP-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...- Dual-NPN, 40 V, 0,2 A, SOT363
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N-Kanal-Allzweckverstärker im TO-92-Gehäuse- N-Kanal-Allzweckverstärker im TO-92-Gehäuse
N-Kanal-Allzweckverstärker im SOT-23-Gehäuse- N-Kanal-Allzweckverstärker im SOT-23-Gehäuse
- NPN-Hochspannungstransistor NPN-Hochspannungstransistor in einem kleinen SOT23 Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...
- Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...
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- Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...
- PNP-Epitaxial-Siliziumtransistor im TO-92-Gehäuse