Datasheets - Bipolare Einzeltransistoren
Unterabschnitt: "Bipolare Einzeltransistoren"
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20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) NPN-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...- 20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) NPN-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
- 20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) NPN-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
- 20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) NPN-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
- 20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) NPN-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
- 20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) PNP-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
- 20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) PNP-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
- 20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) PNP-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
- 20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) PNP-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
- 20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) PNP-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
Dual-NPN, 40 V, 0,2 A, SOT363- Dual-NPN, 40 V, 0,2 A, SOT363
- Dual-NPN, 40 V, 0,2 A, SOT363
- Dual-NPN, 40 V, 0,2 A, SOT363
N-Kanal-Allzweckverstärker im TO-92-Gehäuse- N-Kanal-Allzweckverstärker im TO-92-Gehäuse
N-Kanal-Allzweckverstärker im SOT-23-Gehäuse- N-Kanal-Allzweckverstärker im SOT-23-Gehäuse
NPN-Hochspannungstransistor NPN-Hochspannungstransistor in einem kleinen SOT23 Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.- NPN-Hochspannungstransistor NPN-Hochspannungstransistor in einem kleinen SOT23 Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.