Datasheets - Bipolare Einzeltransistoren
Unterabschnitt: "Bipolare Einzeltransistoren"
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Dual-NPN, 40 V, 0,2 A, SOT363- Dual-NPN, 40 V, 0,2 A, SOT363
- Dual-NPN, 40 V, 0,2 A, SOT363
- Dual-NPN, 40 V, 0,2 A, SOT363
N-Kanal-Allzweckverstärker im TO-92-Gehäuse- N-Kanal-Allzweckverstärker im TO-92-Gehäuse
N-Kanal-Allzweckverstärker im SOT-23-Gehäuse- N-Kanal-Allzweckverstärker im SOT-23-Gehäuse
NPN-Hochspannungstransistor NPN-Hochspannungstransistor in einem kleinen SOT23 Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.- NPN-Hochspannungstransistor NPN-Hochspannungstransistor in einem kleinen SOT23 Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...- Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...
- Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...
- Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...
- PNP-Epitaxial-Siliziumtransistor im TO-92-Gehäuse
- PNP-Epitaxial-Siliziumtransistor im TO-92-Gehäuse
- PNP-Epitaxial-Siliziumtransistor im TO-92-Gehäuse
- NPN-Transistor im SOT-23-Gehäuse Ergänzend zu 2SA1252
- Silizium-NPN-Transistor im TO-92-Gehäuse
- Silizium-NPN-Transistor im TO-92-Gehäuse