Datasheets - Bipolare Einzeltransistoren

Unterabschnitt: "Bipolare Einzeltransistoren"
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  1. Dual PNP, 20 °, 2 °, DFN2020-6 (swp)
  2. Dual PNP, 20 °, 2 °, DFN2020-6 (swp)
  3. Dual PNP, 60 °, 2 °, DFN2020-6 (swp)
  4. Dual PNP, 60 °, 2 °, DFN2020-6 (swp)
  1. 40 V, 600 mA PNP Silizium-Planar-Schalttransistor im TO-18-Metalldosenpaket Schalten und lineare Anwendung
  2. PNP Mittlere Leistungstransistor im TO-92-Gehäuse Spezifikationen: Kollektor-Emitter-Spannung V (br) ceo: 80 V. Kollektor-Emitter-Spannung Vces: 250 mV Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max: 1 A. Strom Ic Kontinuierlich a Max: 1 A. ...
  3. Datasheet STMicroelectronics STX817A-AP
    PNP Mittlere Leistungstransistor im TO-92-Gehäuse Spezifikationen: Kollektor-Emitter-Spannung V (br) ceo: 80 V. Kollektor-Emitter-Spannung Vces: 250 mV Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max: 1 A. Strom Ic Kontinuierlich a Max: 1 A. ...
  4. Datasheet STMicroelectronics STX817A
    PNP Mittlere Leistungstransistor im TO-92-Gehäuse Spezifikationen: Kollektor-Emitter-Spannung V (br) ceo: 80 V. Kollektor-Emitter-Spannung Vces: 250 mV Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max: 1 A. Strom Ic Kontinuierlich a Max: 1 A. ...
  5. ERGÄNZENDE SILIKON-LEISTUNGSTRANSISTOREN Der TIP31C ist ein NPN-Leistungstransistor mit Basisinseltechnologie in TO-220-Kunststoffgehäuse mit besseren Leistungen als der Industriestandard TIP31C, der dieses Gerät für Audio-, Leistungslinear- und ...
  6. 2 x NPN + 2 x PNP
  7. 2 x NPN + 2 x PNP
  8. 30 V, 2,0 A NPN Bipolartransistor mit niedrigem V CE (sat)
  9. 30 V, 2,0 A NPN Bipolartransistor mit niedrigem V CE (sat)
  10. 30 V, 2,0 A NPN Bipolartransistor mit niedrigem V CE (sat)
  11. 30 V, 2,0 A NPN Bipolartransistor mit niedrigem V CE (sat)
  12. Low V CE (sat) Transistor, PNP, -40 V, 2,0 A.
  13. Low V CE (sat) Transistor, PNP, -40 V, 2,0 A.
  14. Low V CE (sat) Transistor, PNP, -40 V, 2,0 A.
  15. Low V CE (sat) Transistor, PNP, -40 V, 2,0 A.
  16. NPN Bipolartransistor