Datasheets - Bipolare Arrays & Module
Unterabschnitt: "Bipolare Arrays & Module"
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Allegro Analog Devices Central Semiconductor Diodes Fairchild Infineon Intersil Magnatec MCC National Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Philips Rohm Semelab Semtech Solid State STMicroelectronics Texas Instruments THAT Corporation ToshibaSuchergebnisse: 369 Ausgabe: 1-20
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- Rauscharmer, angepasster Transistor-Array-Chip Ein Acht-Transistor-Bare-Die-Array
- Rauscharme, angepasste Transistorarrays Die THAT 300, 320 und 340 sind großflächige, monolithische NPN- und/oder PNP-Transistorarrays mit vier Transistoren. Sie zeichnen sich durch hohe Geschwindigkeit und geringes Rauschen sowie eine hervorragende ...
- Rauscharme, angepasste Transistorarrays Die THAT 300, 320 und 340 sind großflächige, monolithische NPN- und/oder PNP-Transistorarrays mit vier Transistoren. Sie zeichnen sich durch hohe Geschwindigkeit und geringes Rauschen sowie eine hervorragende ...
- Rauscharme, angepasste Transistorarrays Die THAT 300, 320 und 340 sind großflächige, monolithische NPN- und/oder PNP-Transistorarrays mit vier Transistoren. Sie zeichnen sich durch hohe Geschwindigkeit und geringes Rauschen sowie eine hervorragende ...
- Angepasster monolithischer Vierfachtransistor Der MAT04 ist ein monolithischer NPN-Vierfachtransistor, der sich durch hervorragende parametrische Anpassung für Präzisionsverstärker und nichtlineare Schaltungen auszeichnet. Zu seinen ...
- LM389 Niederspannungs-Audio-Leistungsverstärker mit NPN-Transistor-Array Der LM389 ist eine Anordnung aus drei NPN-Transistoren auf demselben Substrat mit einem Audio-Leistungsverstärker ähnlich dem LM386.
- Darlington-Transistoren Der 10 A, 100 V PNP Darlington Bipolar-Leistungstransistor ist für allgemeine und langsame Schaltanwendungen konzipiert. BDX33B, BDX33C, BDX34B und BDX34C sind ergänzende Geräte.
- Darlington-Transistoren Der 10 A, 100 V PNP Darlington Bipolar-Leistungstransistor ist für allgemeine und langsame Schaltanwendungen konzipiert. BDX33B, BDX33C, BDX34B und BDX34C sind ergänzende Geräte.
- Darlington-Transistoren Der 10 A, 100 V PNP Darlington Bipolar-Leistungstransistor ist für allgemeine und langsame Schaltanwendungen konzipiert. BDX33B, BDX33C, BDX34B und BDX34C sind ergänzende Geräte.
- Darlington-Transistoren Der 10 A, 100 V PNP Darlington Bipolar-Leistungstransistor ist für allgemeine und langsame Schaltanwendungen konzipiert. BDX33B, BDX33C, BDX34B und BDX34C sind ergänzende Geräte.
- NPN-Darlington-Transistoren
- NPN-Darlington-Transistoren
- NPN-Darlington-Transistoren
- Sieben Darlington-Arrays Alle Features Sieben Darlingtons pro Packung Ausgangsstrom 500 mA pro Treiber (600 mA Spitze) Ausgangsspannung 50 V Integrierte Entstördioden für induktive Lasten Ausgänge können für höheren Strom parallel geschaltet werden ...
- Sieben Darlington-Array Alle Features Sieben Darlingtons pro Packung Ausgangsstrom 500 mA pro Treiber (600 mA Spitze) Ausgangsspannung 50 V Integrierte Entstördioden für induktive Lasten Ausgänge können für höheren Strom parallel geschaltet werden ...
- Sieben Darlington-Arrays Alle Features Sieben Darlingtons pro Packung Ausgangsstrom 500 mA pro Treiber (600 mA Spitze) Ausgangsspannung 50 V Integrierte Entstördioden für induktive Lasten Ausgänge können für höheren Strom parallel geschaltet werden ...
- Sieben Darlington-Arrays Alle Features Sieben Darlingtons pro Packung Ausgangsstrom 500 mA pro Treiber (600 mA Spitze) Ausgangsspannung 50 V Integrierte Entstördioden für induktive Lasten Ausgänge können für höheren Strom parallel geschaltet werden ...
- Duale NPN-Kleinsignaltransistoren
65 V, 100 mA NPN / NPN-Universaltransistorpaar Spezifikationen: Kollektor-Emitter-Spannung V (br) ceo: 65 V. DC-Kollektorstrom: 100 mA Gleichstromverstärkung: 200 Anzahl der Stifte: 6 Betriebstemperaturbereich: -55 ° C bis + 150 ° C. ...
65 V, 100 mA NPN / PNP-Universaltransistor