Datasheets - Gate-Treiber

Unterabschnitt: "Gate-Treiber"
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  1. Active Clamp Forward Controller und Gate-Treiber
  2. Active Clamp Forward Controller und Gate-Treiber
  3. Active Clamp Forward Controller und Gate-Treiber
  4. Active Clamp Forward Controller und Gate-Treiber
  1. Active Clamp Forward Controller und Gate-Treiber
  2. Active Clamp Forward Controller und Gate-Treiber
  3. Active Clamp Forward Controller und Gate-Treiber
  4. Active Clamp Forward Controller und Gate-Treiber
  5. Active Clamp Forward Controller und Gate-Treiber
  6. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2152ENGRT
    80 V, 12,5 A ePower-Stufe Nennausgangsstrom (1 MHz) (1), 12,5 A. Betriebs-PWM-Frequenzbereich (2), 3 MHz Betriebseingangsspannungsbereich, 60 V. Vorspannungsversorgungsspannung, 12 V. Ausgangsstrom- und PWM-Frequenzwerte sind Funktionen der ...
  7. 80 V, 12,5 A ePower-Stufe Nennausgangsstrom (1 MHz) (1), 12,5 A. Betriebs-PWM-Frequenzbereich (2), 3 MHz Betriebseingangsspannungsbereich, 60 V. Vorspannungsversorgungsspannung, 12 V. Ausgangsstrom- und PWM-Frequenzwerte sind Funktionen der ...
  8. 80-V-GaN-Leistungstransistor-Halbbrücke im Verbesserungsmodus
  9. 60 V GaN-Leistungstransistor-Halbbrücke im Enhancement-Mode
  10. Nicht isolierte 1-Kanal-Gate-Treiber-IC-Familie mit wirklich differenziellen Eingängen
  11. Datasheet Infineon 1EDN7550UXTSA1
    Nicht isolierte 1-Kanal-Gate-Treiber-IC-Familie mit wirklich differenziellen Eingängen
  12. 9A Low Side SiC MOSFET IGBT Treiber Der IX4351NE wurde speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt. Separate 9A-Quellen- und Senkenausgänge ermöglichen ein maßgeschneidertes Ein- und Ausschalten und minimieren ...
  13. 9A Low Side SiC MOSFET IGBT Treiber Der IX4351NE wurde speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt. Separate 9A-Quellen- und Senkenausgänge ermöglichen ein maßgeschneidertes Ein- und Ausschalten und minimieren ...
  14. 9A Low Side SiC MOSFET IGBT Treiber Der IX4351NE wurde speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt. Separate 9A-Quellen- und Senkenausgänge ermöglichen ein maßgeschneidertes Ein- und Ausschalten und minimieren ...
  15. 4-A, 6-A, 3,75-kVRMS isolierter Zweikanal-Gate-Treiber für die Automobilindustrie
  16. 4-A, 6-A, 3,75-kVRMS-isolierter Zweikanal-Gate-Treiber für 14-SOIC-40 bis 125 für Kraftfahrzeuge