Datasheets - Gate-Treiber

Unterabschnitt: "Gate-Treiber"
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  1. 600-V-Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi Alle Features 600-V-System im Paket mit Halbbrücken-Gate-Treiber und Hochspannungs-GaN-Leistungstransistoren: QFN 9 x 9 x 1 mm Packung R DS (EIN) = 225 mΩ I ...
  2. 600-V-Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi Alle Features 600-V-System im Paket mit Halbbrücken-Gate-Treiber und Hochspannungs-GaN-Leistungstransistoren: QFN 9 x 9 x 1 mm Packung R DS (EIN) = 225 mΩ I ...
  3. 600-V-Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi Alle Features 600-V-System im Paket mit Halbbrücken-Gate-Treiber und Hochspannungs-GaN-Leistungstransistoren: QFN 9 x 9 x 1 mm Packung R DS (EIN) = 225 mΩ I ...
  4. Datasheet Texas Instruments 5962-0052102VFA
    Komplementäre Switch-FET-Treiber. 16-CFP -55 bis 125
  1. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401VEA
    Nicht invertierende Hochgeschwindigkeitstreiber 16-CDIP -55 bis 125
  2. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401VPA
    Nicht invertierende Hochgeschwindigkeitstreiber 8-CDIP -55 bis 125
  3. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401QPA
    Nicht invertierende Hochgeschwindigkeitstreiber 8-CDIP -55 bis 125
  4. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401V2A
    Nicht invertierende Hochgeschwindigkeitstreiber 20-LCCC -55 bis 125
  5. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401Q2A
    Nicht invertierende Hochgeschwindigkeitstreiber 20-LCCC -55 bis 125
  6. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401QEA
    Nicht invertierende Hochgeschwindigkeitstreiber 16-CDIP -55 bis 125
  7. Galvanisch isoliert 4 Ein Single-Gate-Treiber für SiC-MOSFETs Alle Features Hochspannungsschiene bis 1200 V. Treiberstromfähigkeit: 4 A Senke / Quelle bei 25 ° C. dV / dt transiente Störfestigkeit ± 100 V / ns im gesamten Temperaturbereich ...
  8. Galvanisch isoliert 4 Ein Single-Gate-Treiber für SiC-MOSFETs Alle Features Hochspannungsschiene bis 1200 V. Treiberstromfähigkeit: 4 A Senke / Quelle bei 25 ° C. dV / dt transiente Störfestigkeit ± 100 V / ns im gesamten Temperaturbereich ...
  9. Galvanisch isoliert 4 Ein Single-Gate-Treiber für SiC-MOSFETs Alle Features Hochspannungsschiene bis 1200 V. Treiberstromfähigkeit: 4 A Senke / Quelle bei 25 ° C. dV / dt transiente Störfestigkeit ± 100 V / ns im gesamten Temperaturbereich ...
  10. Galvanisch isoliert 4 Ein Single-Gate-Treiber für SiC-MOSFETs Alle Features Hochspannungsschiene bis 1200 V. Treiberstromfähigkeit: 4 A Senke / Quelle bei 25 ° C. dV / dt transiente Störfestigkeit ± 100 V / ns im gesamten Temperaturbereich ...
  11. Galvanisch isoliert 4 Ein Single-Gate-Treiber für SiC-MOSFETs Alle Features Hochspannungsschiene bis 1200 V. Treiberstromfähigkeit: 4 A Senke / Quelle bei 25 ° C. dV / dt transiente Störfestigkeit ± 100 V / ns im gesamten Temperaturbereich ...
  12. 600V Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi Der MASTERGAN2 ist ein fortschrittliches Stromversorgungssystem im Paket, das einen Gate-Treiber und zwei GaN-Transistoren im Enhancement-Modus in ...
  13. 600V Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi Der MASTERGAN2 ist ein fortschrittliches Stromversorgungssystem im Paket, das einen Gate-Treiber und zwei GaN-Transistoren im Enhancement-Modus in ...
  14. 600V Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi Der MASTERGAN2 ist ein fortschrittliches Stromversorgungssystem im Paket, das einen Gate-Treiber und zwei GaN-Transistoren im Enhancement-Modus in ...
  15. Datasheet Infineon 2ED24427N01FXUMA1
    24 V dual-channel low-side gate driver with high current for driving large power switches EiceDRIVER™ 24 V dual-channel low-side non-inverting gate driver for MOSFETs or IGBTs with typical 10 A source and sink currents in a DSO-8 package with ...
  16. 24 V dual-channel low-side gate driver with high current for driving large power switches EiceDRIVER™ 24 V dual-channel low-side non-inverting gate driver for MOSFETs or IGBTs with typical 10 A source and sink currents in a DSO-8 package with ...