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- Leistungs-MOSFET -30V -50A 25 mOhm Einzel-P-Kanal TO-220 Logikpegel Dieser Leistungs-MOSFET ist so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie standhält. Das energieeffiziente Design bietet außerdem eine Drain-Source-Diode ...
- Leistungs-MOSFET -30V -50A 25 mOhm Einzel-P-Kanal TO-220 Logikpegel Dieser Leistungs-MOSFET ist so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie standhält. Das energieeffiziente Design bietet außerdem eine Drain-Source-Diode ...
- Leistungs-MOSFET -30V -50A 25 mOhm Einzel-P-Kanal TO-220 Logikpegel Dieser Leistungs-MOSFET ist so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie standhält. Das energieeffiziente Design bietet außerdem eine Drain-Source-Diode ...
- HEXFET-Leistungs-MOSFET
- 2,5 V niedriger Kniestrom, Spannungsreferenz Beschreibung Der ZRC250 verwendet ein Bandgap-Schaltkreisdesign, um eine präzise Mikroleistungsspannungsreferenz von 2,5 Volt zu erreichen. Das Gerät ist in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse ...
2,5 V niedriger Kniestrom, Spannungsreferenz Beschreibung Der ZRC250 verwendet ein Bandgap-Schaltkreisdesign, um eine präzise Mikroleistungsspannungsreferenz von 2,5 Volt zu erreichen. Das Gerät ist in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse ...- 2,5 V niedriger Kniestrom, Spannungsreferenz Beschreibung Der ZRC250 verwendet ein Bandgap-Schaltkreisdesign, um eine präzise Mikroleistungsspannungsreferenz von 2,5 Volt zu erreichen. Das Gerät ist in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse ...
- 2,5 V niedriger Kniestrom, Spannungsreferenz Beschreibung Der ZRC250 verwendet ein Bandgap-Schaltkreisdesign, um eine präzise Mikroleistungsspannungsreferenz von 2,5 Volt zu erreichen. Das Gerät ist in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse ...
- Silizium-P-Kanal-MOSFET, Niederfrequenz-Leistungsverstärker, Komplementärpaar mit 2SJ160, 2SJ161 und 2SJ162 Nicht empfohlen für neue Designs
- Silizium-P-Kanal-MOSFET, Niederfrequenz-Leistungsverstärker, Komplementärpaar mit 2SJ160, 2SJ161 und 2SJ162 Nicht empfohlen für neue Designs
- Silizium-P-Kanal-MOSFET, Niederfrequenz-Leistungsverstärker, Komplementärpaar mit 2SJ160, 2SJ161 und 2SJ162 Nicht empfohlen für neue Designs
- Silizium-P-Kanal-MOSFET, Niederfrequenz-Leistungsverstärker, Komplementärpaar mit 2SJ160, 2SJ161 und 2SJ162 Nicht empfohlen für neue Designs
- Silizium-P-Kanal-MOSFET, Niederfrequenz-Leistungsverstärker, Komplementärpaar mit 2SJ160, 2SJ161 und 2SJ162 Nicht empfohlen für neue Designs
- Silizium-P-Kanal-MOSFET, Niederfrequenz-Leistungsverstärker, Komplementärpaar mit 2SJ160, 2SJ161 und 2SJ162 Nicht empfohlen für neue Designs
- Silizium-P-Kanal-MOSFET Nicht empfohlen für neue Designs
- Silizium-P-Kanal-MOSFET Nicht empfohlen für neue Designs
- Silizium-P-Kanal-MOSFET Nicht empfohlen für neue Designs
- Silizium-P-Kanal-MOSFET Nicht empfohlen für neue Designs
- Silizium-P-Kanal-MOSFET Nicht empfohlen für neue Designs
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