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GaAlAs-Infrarotemitter im SMT-Gehäuse SENDERPULVER IR 880NM 100MA SMD Teilestatus: Veraltet
GaAlAs-Infrarotemitter im SMT-Gehäuse SENDERPULVER IR 880NM 100MA SMD Teilestatus: Veraltet
- Silizium-NPN-Fototransistor im SMT-Gehäuse
- Silizium-NPN-Fototransistor im SMT-Gehäuse
- Silizium-NPN-Fototransistor im SMT-Gehäuse
- Silizium-NPN-Fototransistor im SMT-Gehäuse
- Silizium-NPN-Fototransistor im SMT-Gehäuse
HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 30-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...- HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 30-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...
- HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 30-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...
HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 300-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...- HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 300-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...
- HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 300-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...
5,0 mm x 6,0 mm Vollfarb-LED-Lampe Die blauen Quellfarbgeräte bestehen aus InGaN auf SiC-Leuchtdioden. Die hyperorangen Quellfarbgeräte bestehen aus DH InGaAlP auf GaAs-Substrat-Leuchtdiode. Die Geräte mit grüner Quellfarbe bestehen aus InGaN auf ...
Allzweckdiode Allzweckdiode, hergestellt in Planartechnologie und gekapselt in einem sehr kleinen SOD323 (SC-76)-Kunststoffgehäuse.- Allzweckdiode Allzweckdiode, hergestellt in Planartechnologie und gekapselt in einem sehr kleinen SOD323 (SC-76)-Kunststoffgehäuse.
- Allzweckdiode Allzweckdiode, hergestellt in Planartechnologie und gekapselt in einem sehr kleinen SOD323 (SC-76)-Kunststoffgehäuse.
- Allzweckdiode Allzweckdiode, hergestellt in Planartechnologie und gekapselt in einem sehr kleinen SOD323 (SC-76)-Kunststoffgehäuse.
Qdrc LED App 600V 8A 33/43V TO220 Iso Die Alternistor-Triacs der Serien Q6008LH1LED und Q6012LH1LED sowie die QUADRACs der Serien Q6008LTH1LED und Q6012LTH1LED von Littelfuse für LED-Dimmung bieten robuste Lösungen für die Leistungssteuerung von ...- Qdrc LED App 600V 8A 33/43V TO220 Iso Die Alternistor-Triacs der Serien Q6008LH1LED und Q6012LH1LED sowie die QUADRACs der Serien Q6008LTH1LED und Q6012LTH1LED von Littelfuse für LED-Dimmung bieten robuste Lösungen für die Leistungssteuerung von ...