Datasheets - - 9

Suchergebnisse: 94,929 Ausgabe: 161-180

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  1. Datasheet Diodes DFLS230-7
    Schottky
  2. Datasheet Diodes DFLS230L-7
    Schottky
  1. Datasheet Diodes PI7C9X762Q2ZHEX
    Automotive I2C-Bus/SPI zu UART Bridge Controller mit 64 Bytes TX/RX FIFOs Der PI7C9X762Q ist ein I2C-Bus/SPI-zu-Zweikanal-Hochleistungs-UART-Brückencontroller. Er bietet Datenraten von bis zu 33 Mbit/s und garantiert einen niedrigen Betriebs- und ...
  2. Datasheet Vishay LTA050F5R000JTE3
    50-W-Leistungswiderstand in Dickschichttechnologie Merkmale 50 W bei 50 °C Gehäusetemperatur Kühlkörper montiert Direktmontage der Keramik auf dem Kühlkörper Breiter Widerstandsbereich: 0,010 Ω bis 450 kΩ
  3. Datasheet Littelfuse LF53464-08TMR
    Omnipolarer magnetischer Winkelsensor im LGA8L-Gehäuse Der omnipolare magnetische Winkelsensor LF53464 ist ein hochpräziser magnetischer Winkelmesssensor von 0 bis 360 Grad in X- und Y-Achsenrichtung mit Kompensation der thermischen Drift, der hohe ...
  4. Omnipolarer magnetischer Winkelsensor im TSSOP8-Gehäuse Der omnipolare magnetische Winkelsensor LF53466 ist ein hochpräziser magnetischer Winkelmesssensor von 0 bis 360 Grad in X- und Y-Achsenrichtung mit Kompensation der thermischen Drift, der ...
  5. Datasheet Vishay Si4936DY
    Dualer N-Kanal 30-V (DS) MOSFET
  6. Datasheet Nexperia PMV65XP,215
    20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
  7. Datasheet NXP PMV65XP
    20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
  8. Datasheet Nexperia PMV65UNEAR
    20 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
  9. Datasheet Nexperia PMV65ENEAR
    40 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
  10. Datasheet Nexperia PMV65XPER
    20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
  11. Datasheet Nexperia PMV65XPEAR
    20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
  12. 4-stufiger synchroner bidirektionaler Zähler Der AC169 ist ein vollsynchroner 4-stufiger Auf-/Abwärtszähler. Der AC169 ist ein Modulo-16-Binärzähler. Er verfügt über eine Voreinstellung für programmierbaren Betrieb, Carry-Lookahead für einfache ...
  13. Datasheet HC-05
    Bluetooth-zu-Seriell-Port-Modul
  14. 32-Bit-Universal-Mikrocontroller basierend auf dem Arm Cortex-M4 RISC Der GD32E103xx gehört zur Konnektivitätslinie der GD32 MCU-Familie. Es handelt sich um einen 32-Bit-Universal-Mikrocontroller auf Basis des Arm Cortex-M4 RISC-Kerns mit optimalem ...
  15. Datasheet Sumida CDRH4D28CLDNP-1R0PC
    SMD-Leistungsinduktivität • Ferrit-Trommelkernkonstruktion. • Magnetisch abgeschirmt. • L×B×H: 5,1×5,1×3,0 mm max. • Produktgewicht: 212 mg (Ref.) • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 1 • RoHS-Konformität. • Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis ...
  16. Datasheet Sumida CDRH4D28CNP-1R1PC
    SMD-Leistungsinduktivität • Ferrit-Trommelkernkonstruktion. • Magnetisch abgeschirmt. • L×B×H: 5,1×5,1×3,0 mm max. • Produktgewicht: 212 mg (Ref.) • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 1 • RoHS-Konformität. • Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis ...
  17. Datasheet Taiwan Semiconductor B0530WS RRG
    SOD-123, 30 V, 0,5 A, Schottky-Diode
  18. Datasheet Taiwan Semiconductor B0520LW RHG
    SOD-123, 20 V, 0,5 A, Schottky-Diode