Datasheets - Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor
Unterabschnitt: "Schottky-Dioden & Gleichrichter"
Hersteller: "ON Semiconductor"
Hersteller
Avago Technologies Broadcom Central Semiconductor Cree Diodes Fairchild International Rectifier Kyocera Littelfuse MCC Microsemi Multicomp Nexperia NXP ON Semiconductor Panasonic PanJit Rohm STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Texas Instruments Thinki Semiconductor Toshiba Vishay WEJ Won-Top ElectronicsSerie
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- Schottky-Gleichrichter, Schaltmodus, Dual, 20 A, 30 V Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie zeichnet sich durch einen epitaxialen ...
- Dioden - Gleichrichter Single ON Semiconductor MBR340 MBR340G
Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor MBR340Schottky-Gleichrichter, 40 V, 3,0 A Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters zeichnet sich durch einen ...
- Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage, 3,0 A, 30 V Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
- Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage, 3,0 A, 40 V Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
- 1,0 A, 20 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky Powermite verwendet das Schottky-Barrieren-Prinzip mit einem Barrierenmetall und einer epitaxialen Konstruktion, die einen optimalen Kompromiss zwischen Durchlassspannung ...
- Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage, 2,0 A, 40 V Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einem Metall-zu-Silizium-Leistungsgleichrichter. Es verfügt über einen epitaxialen Aufbau mit ...
- 1,0 A, 20 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky Powermite verwendet das Schottky-Barrieren-Prinzip mit einem Barrierenmetall und einer epitaxialen Konstruktion, die einen optimalen Kompromiss zwischen Durchlassspannung ...
- 1,0 A, 30 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
- 1,0 A, 30 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
- 1,0 A, 30 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
- 1,0 A, 30 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
- Schottky-Diode UHF 70V Die Schottky-Diode wurde hauptsächlich für hocheffiziente UHF- und VHF-Detektoranwendungen entwickelt. Es ist leicht an viele andere schnell schaltende HF- und digitale Anwendungen anpassbar. Es wird in einer kostengünstigen ...
- 70-V-Schottky-Diode Die Schottky-Diode wurde hauptsächlich für hocheffiziente UHF- und VHF-Detektoranwendungen entwickelt. Es ist leicht an viele andere schnell schaltende HF- und digitale Anwendungen anpassbar. Es wird in einer kostengünstigen ...
- Feste Induktivitäten ON Semiconductor NCP1421 NCP1421DMR2G
Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor NCP1421Aufwärtswandler, Sync-Rect, PFM, DC-DC, 600 mA, mit True-Cutoff und Ring-Killer Der NCP1421 ist ein monolithischer Micropower-Hochfrequenz-Aufwärtsschaltwandler-IC, der speziell für batteriebetriebene tragbare elektronische Produkte mit einer ... - 200 mA, 30 V, Schottky-Diode UHF Die Schottky-Diode wurde hauptsächlich für hocheffiziente UHF- und VHF-Detektoranwendungen entwickelt. Es ist leicht an viele andere schnell schaltende HF- und digitale Anwendungen anpassbar. Es wird in einer ...
- Schottky-Diode UHF 30 V Die Schottky-Diode wurde hauptsächlich für hocheffiziente UHF- und VHF-Detektoranwendungen entwickelt. Es ist leicht an viele andere schnell schaltende HF- und digitale Anwendungen anpassbar. Es wird in einer kostengünstigen ...
Schottky-Barrier-Gleichrichter, 1,0 A, 20 V.- Dioden - Gleichrichter Single ON Semiconductor MBRD835L SBRD8835LG
Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor MBRD835LSchottky-Barrier-Gleichrichter, 35 V, 8,0 A. Dieser Schottky-Gleichrichter mit einem proprietären Barrieremetall ist für Ausgangsgleichrichter, Freilauf-, Schutz- und Lenkdioden, Schaltnetzteile, Wechselrichter und andere induktive Schaltkreise ... - Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage, 5,0 A, 40 V. Dieser Schottky-Gleichrichter verwendet das Schottky-Barrier-Prinzip in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die Geometrie auf dem neuesten Stand der Technik zeichnet ...
- 500 mA, 40 V, Schottky-Gleichrichter, Aufputzmontage Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Schottky-Barrier-Prinzip mit einem Barrieremetall, das einen optimalen Kompromiss zwischen Vorwärtsspannungsabfall und Rückwärtsstrom erzeugt. Es eignet ...
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