Datasheets - Halbbrücken-Leistungsstufen-ICs
Unterabschnitt: "Halbbrücken-Leistungsstufen-ICs"
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Efficient Power ConversionSuchergebnisse: 4 Ausgabe: 1-4
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100V, 20A ePower Stage IC Integrierte High-Side- und Low-Side-eGaN-FETs mit internem Gate-Treiber und Pegelwandler. Laststrom der Leistungsstufe: 20 A. Maximale Eingangsspannung: 100 V.- 100V, 20A ePower Stage IC Integrierte High-Side- und Low-Side-eGaN-FETs mit internem Gate-Treiber und Pegelwandler. Laststrom der Leistungsstufe: 20 A. Maximale Eingangsspannung: 100 V.
- 100V, 35A ePower Stage IC Integrierte High-Side- und Low-Side-eGaN-FETs mit internem Gate-Treiber und Pegelwandler. Laststrom der Endstufe: 35 A. Maximale Eingangsspannung: 100 V.
100V, 35A ePower Stage IC Integrierte High-Side- und Low-Side-eGaN-FETs mit internem Gate-Treiber und Pegelwandler. Laststrom der Endstufe: 35 A. Maximale Eingangsspannung: 100 V.