Datasheets - Halbbrücken-Leistungsstufen-ICs

• Halbleiter
• Integrierte Schaltkreise - ICs
• Power Management ICs
• Halbbrücken-Leistungsstufen-ICs

Aussicht: Aufführen / Bilder

1. EPC23111ENGRT — Datasheet Efficient Power Conversion
   Halbbrücken-Leistungsstufen-ICs Efficient Power Conversion EPC23111 EPC23111ENGRT
   

   100V, 20 A ePower Stage IC Integrated high side and low side eGaN FETs with internal gate driver and level shifter Power Stage Load Current, 20 A Maximum Input Voltage, 100 V
2. EPC23110 — Datasheet Efficient Power Conversion
   Halbbrücken-Leistungsstufen-ICs Efficient Power Conversion EPC23110
   100V, 20A ePower Stage IC Integrierte High-Side- und Low-Side-eGaN-FETs mit internem Gate-Treiber und Pegelwandler. Laststrom der Leistungsstufe: 20 A. Maximale Eingangsspannung: 100 V.

3. EPC23109 — Datasheet Efficient Power Conversion
   Halbbrücken-Leistungsstufen-ICs Efficient Power Conversion EPC23109
   100V, 35A ePower Stage IC Integrierte High-Side- und Low-Side-eGaN-FETs mit internem Gate-Treiber und Pegelwandler. Laststrom der Endstufe: 35 A. Maximale Eingangsspannung: 100 V.
4. EPC23108 — Datasheet Efficient Power Conversion
   Halbbrücken-Leistungsstufen-ICs Efficient Power Conversion EPC23108
   

   100V, 35A ePower Stage IC Integrierte High-Side- und Low-Side-eGaN-FETs mit internem Gate-Treiber und Pegelwandler. Laststrom der Endstufe: 35 A. Maximale Eingangsspannung: 100 V.