20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) NPN-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) NPN-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) NPN-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) PNP-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) PNP-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) PNP-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) PNP-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) PNP-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-247-Gehäuse Merkmale Drainstrom: ID = 26 A bei TC = 25 °C Drain-Source-Spannung: VDSS = 500 V (Min.) Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand: RDS(on) = 0,2 Ω (Max) bei VGS = 10 V 100 % lawinengeprüft Minimale ...
High-Side, n-Kanal-MOSFET-Schaltertreiber Branchenweit niedrigster Versorgungsstrom für High-Side-n-Kanal-MOSFET-Treiber Der MAX1614 steuert High-Side-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs an und ermöglicht so die Stromversorgungsschaltung in tragbaren ...
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Pyroelektrischer Infrarotsensor Der pyroelektrische Infrarotsensor erkennt Infrarotstrahlung temperaturabhängig. Er unterdrückt Störungen durch Temperaturschwankungen und nutzt die Methode der komplementären Dual-Sensor-Elemente, was die Stabilität ...
Quad-Port 1G/10G 1588/MACsec optischer Ethernet-PHY-Transceiver im 256-Ball-HFC-BGA-Gehäuse Der Microchip LAN8268 ist ein 1G/10G-Ethernet-PHY-Transceiver mit vier Ports und bietet vielfältige Leitungs- und Host-Schnittstellen. Über die ...
Quad-Port 1G/10G 1588/MACsec optischer Ethernet-PHY-Transceiver im 256-Ball-HFC-BGA-Gehäuse Der Microchip LAN8268 ist ein 1G/10G-Ethernet-PHY-Transceiver mit vier Ports und bietet vielfältige Leitungs- und Host-Schnittstellen. Über die ...
Quad-Port 1G/10G 1588 Optical Ethernet PHY Transceiver in 256-Ball HFC-BGA-Gehäuse Der Microchip LAN8267 ist ein 1G/10G-Ethernet-PHY-Transceiver mit vier Ports und bietet vielfältige Leitungs- und Host-Schnittstellen. Über die ...
Quad-Port 1G/10G 1588 Optical Ethernet PHY Transceiver in 256-Ball HFC-BGA-Gehäuse Der Microchip LAN8267 ist ein 1G/10G-Ethernet-PHY-Transceiver mit vier Ports und bietet vielfältige Leitungs- und Host-Schnittstellen. Über die ...
20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) NPN-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-247-Gehäuse Merkmale Drainstrom: ID = 26 A bei TC = 25 °C Drain-Source-Spannung: VDSS = 500 V (Min.) Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand: RDS(on) = 0,2 Ω (Max) bei VGS = 10 V 100 % lawinengeprüft Minimale ...
Pyroelektrischer Infrarotsensor Der pyroelektrische Infrarotsensor erkennt Infrarotstrahlung temperaturabhängig. Er unterdrückt Störungen durch Temperaturschwankungen und nutzt die Methode der komplementären Dual-Sensor-Elemente, was die Stabilität ...
Quad-Port 1G/10G 1588/MACsec optischer Ethernet-PHY-Transceiver im 256-Ball-HFC-BGA-Gehäuse Der Microchip LAN8268 ist ein 1G/10G-Ethernet-PHY-Transceiver mit vier Ports und bietet vielfältige Leitungs- und Host-Schnittstellen. Über die ...