Datasheets - 10

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181. SiHFR9310-GE3 — Datasheet Vishay
     MOSFET-Einzeltransistoren Vishay SiHFR9310 SiHFR9310-GE3
     Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay SiHFR9310
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
182. IRFU9310 — Datasheet Vishay
     MOSFET-Einzeltransistoren Vishay IRFU9310
     Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFU9310
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...

183. IRFU9310PbF — Datasheet Vishay
     MOSFET-Einzeltransistoren Vishay IRFU9310 IRFU9310PbF
     Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFU9310
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
184. IRFR9310 — Datasheet Vishay
     MOSFET-Einzeltransistoren Vishay IRFR9310
     Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFR9310
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
185. IRFR9310TRRPbF — Datasheet Vishay
     MOSFET-Einzeltransistoren Vishay IRFR9310 IRFR9310TRRPbF
     Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFR9310
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
186. IRFR9310TRPbF — Datasheet Vishay
     MOSFET-Einzeltransistoren Vishay IRFR9310 IRFR9310TRPbF
     Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFR9310
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
187. IRFR9310TRLPbF-BE3 — Datasheet Vishay
     MOSFET-Einzeltransistoren Vishay IRFR9310 IRFR9310TRLPbF-BE3
     Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFR9310
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
188. IRFR9310PbF — Datasheet Vishay
     MOSFET-Einzeltransistoren Vishay IRFR9310 IRFR9310PbF
     Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFR9310
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
189. IRFR9310TRLPbF — Datasheet Vishay
     MOSFET-Einzeltransistoren Vishay IRFR9310 IRFR9310TRLPbF
     Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFR9310
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
190. FDS6675 — Datasheet Fairchild
     MOSFET-Einzeltransistoren Fairchild FDS6675
     Einzelner P-Kanal-Logikpegel-PowerTrench-MOSFET -30 V, -11 A, 14 mΩ Dieser P-Kanal-Logikpegel-MOSFET wird mit einem fortschrittlichen PowerTrench-Prozess hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten wurde, den Widerstand im eingeschalteten ...
191. BDX44 — Datasheet Philips
     Bipolare Einzeltransistoren Philips BDX44
     Bipolare Arrays & Module Philips BDX44
     NPN-Darlington-Transistoren
192. BDX43 — Datasheet Philips
     Bipolare Einzeltransistoren Philips BDX43
     Bipolare Arrays & Module Philips BDX43
     NPN-Darlington-Transistoren
193. BDX42 — Datasheet Philips
     Bipolare Einzeltransistoren Philips BDX42
     Bipolare Arrays & Module Philips BDX42
     NPN-Darlington-Transistoren
194. LS7084N — Datasheet LSI Computer Systems
     Datenkonverter - Spezialzweck LSI Computer Systems LS7084N
     Quadraturtaktkonverter
195. LS7083N — Datasheet LSI Computer Systems
     Datenkonverter - Spezialzweck LSI Computer Systems LS7083N
     Quadraturtaktkonverter
196. RE11 — Datasheet Switch Channel
     Encoder Switch Channel RE11
     Soltem-Encoder
197. TOP242 — Datasheet Power Integrations
     Power Management ICs Power Integrations TOPSwitch-GX TOP242
     Integrierter Schaltnetzteil-Chip, der einen Strom am Steuereingang in ein Tastverhältnis am Open-Drain-Ausgang eines Hochspannungs-Leistungs-MOSFET umwandelt.
198. TOP242PN-TL — Datasheet Power Integrations
     Power Management ICs Power Integrations TOPSwitch-GX TOP242 TOP242PN-TL
     Integrierter Schaltnetzteil-Chip, der einen Strom am Steuereingang in ein Tastverhältnis am Open-Drain-Ausgang eines Hochspannungs-Leistungs-MOSFET umwandelt.
199. TOP242PN — Datasheet Power Integrations
     Power Management ICs Power Integrations TOPSwitch-GX TOP242 TOP242PN
     Integrierter Schaltnetzteil-Chip. Integrierter Schaltnetzteil-Chip, der einen Strom am Steuereingang in ein Tastverhältnis am Open-Drain-Ausgang eines Hochspannungs-Leistungs-MOSFET umwandelt.
200. TOP242P-TL — Datasheet Power Integrations
     Power Management ICs Power Integrations TOPSwitch-GX TOP242 TOP242P-TL
     Integrierter Schaltnetzteil-Chip. Integrierter Schaltnetzteil-Chip, der einen Strom am Steuereingang in ein Tastverhältnis am Open-Drain-Ausgang eines Hochspannungs-Leistungs-MOSFET umwandelt.