Datasheets - 10

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181. PE-63385NL — Datasheet Pulse Electronics
     Transformatoren Pulse Electronics PE-63385 PE-63385NL
     

     Mosfet-Gate-Drive-Transformatoren
182. PE-63387NL — Datasheet Pulse Electronics
     Transformatoren Pulse Electronics PE-63387 PE-63387NL
     

     Mosfet-Gate-Drive-Transformatoren

183. PE-53829NL — Datasheet Pulse Electronics
     Feste Induktivitäten Pulse Electronics PE-53829 PE-53829NL
     

     Leistungsinduktivität
184. P6KE6.8 — Datasheet Taiwan Semiconductor
     TVS-Dioden und Arrays - Transient Voltage Suppressors Taiwan Semiconductor P6KE P6KE6.8
     

     600 W unidirektionaler Überspannungsschutz
185. MCR106-1 — Datasheet Digitron Semiconductors
     Dioden - Gleichrichter Single Digitron Semiconductors MCR106 MCR106-1
     

     2,55 A Silizium-Gleichrichter Dieser Silizium-Gleichrichter ist in einem TO-126-Gehäuse untergebracht, das einen durchschnittlichen Durchlassstrom von 2,55 A aufweist. Verfügbar als hochzuverlässiges Gerät gemäß MIL-PRF-19500. Bitte das Suffix ...
186. FR306 — Datasheet Diodes
     Dioden - Gleichrichter Single Diodes FR306
     

     3,0-A-Gleichrichter mit schneller Wiederherstellung NRND = Nicht empfohlen für neue Designs / Veraltet Verwenden Sie PR3006G
187. FR305 — Datasheet Diodes
     Dioden - Gleichrichter Single Diodes FR305
     

     3,0-A-Gleichrichter mit schneller Wiederherstellung NRND = Nicht empfohlen für neue Designs / Veraltet Verwenden Sie PR3005G
188. FR304 — Datasheet Diodes
     Dioden - Gleichrichter Single Diodes FR304
     

     3,0-A-Gleichrichter mit schneller Wiederherstellung NRND = Nicht empfohlen für neue Designs / Veraltet Verwenden Sie PR3004G
189. FR303 — Datasheet Diodes
     Dioden - Gleichrichter Single Diodes FR303
     

     3,0-A-Gleichrichter mit schneller Wiederherstellung NRND = Nicht empfohlen für neue Designs / Veraltet Verwenden Sie PR3003G
190. FR302 — Datasheet Diodes
     Dioden - Gleichrichter Single Diodes FR302
     

     3,0-A-Gleichrichter mit schneller Wiederherstellung NRND = Nicht empfohlen für neue Designs / Veraltet Verwenden Sie PR3002G
191. FR301 — Datasheet Diodes
     Dioden - Gleichrichter Single Diodes FR301
     

     3,0-A-Gleichrichter mit schneller Wiederherstellung NRND = Nicht empfohlen für neue Designs / Veraltet Verwenden Sie PR3001G
192. FR307 — Datasheet Diodes
     Dioden - Gleichrichter Single Diodes FR307
     

     3,0-A-Gleichrichter mit schneller Wiederherstellung NRND = Nicht empfohlen für neue Designs / Veraltet Verwenden Sie PR3007G
193. BD912 — Datasheet STMicroelectronics
     Bipolare Einzeltransistoren STMicroelectronics BD912
     

     Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...
194. BD910 — Datasheet STMicroelectronics
     Bipolare Einzeltransistoren STMicroelectronics BD910
     

     Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...
195. BD909 — Datasheet STMicroelectronics
     Bipolare Einzeltransistoren STMicroelectronics BD909
     

     Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...
196. BD911 — Datasheet STMicroelectronics
     Bipolare Einzeltransistoren STMicroelectronics BD911
     

     Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...
197. BC309 — Datasheet Fairchild
     Bipolare Einzeltransistoren Fairchild BC309
     

     PNP-Epitaxial-Siliziumtransistor im TO-92-Gehäuse
198. BC308 — Datasheet Fairchild
     Bipolare Einzeltransistoren Fairchild BC308
     

     PNP-Epitaxial-Siliziumtransistor im TO-92-Gehäuse
199. BC307 — Datasheet Fairchild
     Bipolare Einzeltransistoren Fairchild BC307
     

     PNP-Epitaxial-Siliziumtransistor im TO-92-Gehäuse
200. 2N6240 — Datasheet Digitron Semiconductors
     Dioden - Gleichrichter Single Digitron Semiconductors 2N6240
     

     2,6-A-Silizium-Gleichrichter Dieser Silizium-Gleichrichter ist in einem TO-126-Gehäuse untergebracht, das einen durchschnittlichen Durchlassstrom von 2,6 A aufweist. Verfügbar als hochzuverlässiges Gerät gemäß MIL-PRF-19500. Bitte das Suffix „–HR“ ...