6-poliger DIP-Hochspannungs-Fototransistor-Ausgangsoptokoppler Die Bausteine 4N38M, H11D1M, H11D3M und MOC8204M sind optisch gekoppelte Optoisolatoren vom Fototransistortyp. Eine Infrarot-Emitterdiode aus Galliumarsenid ist mit einem ...
6-poliger DIP-Hochspannungs-Fototransistor-Ausgangsoptokoppler Die Bausteine 4N38M, H11D1M, H11D3M und MOC8204M sind optisch gekoppelte Optoisolatoren vom Fototransistortyp. Eine Infrarot-Emitterdiode aus Galliumarsenid ist mit einem ...
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6-poliger DIP-Hochspannungs-Fototransistor-Ausgangsoptokoppler Die Bausteine 4N38M, H11D1M, H11D3M und MOC8204M sind optisch gekoppelte Optoisolatoren vom Fototransistortyp. Eine Infrarot-Emitterdiode aus Galliumarsenid ist mit einem ...
6-poliger DIP-Hochspannungs-Fototransistor-Ausgangsoptokoppler Die Bausteine 4N38M, H11D1M, H11D3M und MOC8204M sind optisch gekoppelte Optoisolatoren vom Fototransistortyp. Eine Infrarot-Emitterdiode aus Galliumarsenid ist mit einem ...
6-poliger DIP-Hochspannungs-Fototransistor-Ausgangsoptokoppler Die Bausteine 4N38M, H11D1M, H11D3M und MOC8204M sind optisch gekoppelte Optoisolatoren vom Fototransistortyp. Eine Infrarot-Emitterdiode aus Galliumarsenid ist mit einem ...
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