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Komplementäre PNP-Leistungstransistoren aus Siliziumplastik- Komplementäre PNP-Leistungstransistoren aus Siliziumplastik
- Komplementäre NPN-Siliziumplastik-Leistungstransistoren
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- Hochintegrierter, extrem stromsparender Dualband-Wi-Fi-6-Mikrocontroller mit Arm Cortex-M33-Architektur Der RA6W1 ist ein hochintegrierter, extrem stromsparender Wi-Fi-Mikrocontroller (MCU) mit einem Arm Cortex-M33-Systemprozessor, einem ...
20A Hochspannungs-Schottky-Grabengleichrichter
Toroid- Toroid
180KHz 60V 5A Schaltstromverstärkung / Buck-Boost / Invertierender DC / DC-Wandler
Schmitt Wechselrichter- TinyLogic UHS Inverter mit Schmitt-Trigger-Eingang Der NC7SZ14 ist ein einzelner Inverter mit Schmitt-Trigger-Eingang aus der Ultra-High Speed (UHS)-Serie von TinyLogic von onsemi. Das Bauteil wird mit fortschrittlicher CMOS-Technologie gefertigt, ...
42V-Leistungsmonitor mit I2C und Alarmfunktion, 16-Bit Hochseitenstromsensor mit I2C, 42 V, Akkumulation, bidirektional, Alarmfunktion Das Produkt PAC1811 ist ein Einkanal-Energiemonitor mit Busspannungsüberwachung und Strommessverstärker, die ...
42V-Leistungsmonitor mit I2C und Alarmfunktion, 12-Bit Hochseitiger Stromsensor mit I2C, 42 V, Akkumulation, bidirektional, Alarmfunktion
Intelligente LED-integrierte Lichtquelle
Versiegelter taktiler Schalter (SMT) Versiegelte Schalter für die Oberflächenmontage Versiegelte Struktur für hohe Zuverlässigkeit. Verfügbar auf geprägtem Band Die versiegelte Konstruktion gemäß IP67 (IEC-60529) bietet hohe Zuverlässigkeit an ...- 100mA, 30V Oberflächenmontage Diode-Schottky ( 1A) Single
20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) NPN-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...- 20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) PNP-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-247-Gehäuse Merkmale Drainstrom: ID = 26 A bei TC = 25 °C Drain-Source-Spannung: VDSS = 500 V (Min.) Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand: RDS(on) = 0,2 Ω (Max) bei VGS = 10 V 100 % lawinengeprüft Minimale ...