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- 650 V, 40 A Alpha IGBT mit weicher und schneller Erholungs-Antiparalleldiode
- Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT)
- Monolithischer digitaler Stereo-FM-Sender – Radiostation auf einem Chip Der KT0803M, unser neuer, kostengünstiger monolithischer digitaler FM-Sender, verarbeitet hochauflösende Stereo-Audiosignale und sendet modulierte FM-Signale über kurze ...
- Monolithischer digitaler Stereo-FM-Sender – Radiostation auf einem Chip Der KT0803K, unser neuer, kostengünstiger monolithischer digitaler FM-Transmitter, verarbeitet hochauflösende Stereo-Audiosignale und sendet modulierte FM-Signale über kurze ...
- Monolithischer digitaler Stereo-FM-Sender – Radiostation auf einem Chip Der KT0803L, unser neuer, kostengünstiger monolithischer digitaler FM-Sender, verarbeitet hochauflösende Stereo-Audiosignale und sendet modulierte FM-Signale über kurze ...
Leistungs-MOSFET im TO-247AC-Gehäuse Merkmale Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Antriebsanforderungen Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazität sowie Lawinenspannung und -strom
Hochleistungsfähiger, energiesparender, fortschrittlicher digitaler TV-Siliziumtuner im QFN-24-Gehäuse Der R820T2 ist ein hochintegrierter Silizium-Tuner mit integriertem rauscharmen Verstärker (LNA), Mischer, fraktionaler PLL, VGA, Spannungsregler ...- Hochleistungsfähiger, energiesparender, fortschrittlicher digitaler TV-Siliziumtuner im QFN-24-Gehäuse Der R820T2 ist ein vielseitiger Tuner-IC, der speziell für Software-Defined Radio (SDR)-Anwendungen entwickelt wurde. Dieser IC wird häufig in ...
DVB-T COFDM-Demodulator + USB 2.0 im QFN-48-Gehäuse Der RTL2832U ist ein leistungsstarker DVB-T-COFDM-Demodulator mit USB-2.0-Schnittstelle. Er ist kompatibel mit NorDig Unified 1.0.3, D-Book 5.0 und EN300 744 (ETSI-Spezifikation). Er unterstützt ...
Mikrocontroller Optimal+ auf Basisprozessor ARM Cortex-M33
Riedon Präzisions-Drahttemperatursensoren
Isolierter Gate-Bipolartransistor (IGBT) mit ultraschneller Soft-Recovery-Diode im TO-274AA-Gehäuse IGBT NPT 1200 V 105 A 595 W Durchgangsloch SUPER-247 (TO-274AA). Motorsteuerungs-IGBT (Co-Pack). Auslaufprodukt, veraltet. Ersatzteil: IKQ50N120CT2
Automotive N-Kanal 80 V (DS) 175 °C MOSFET
P-Kanal 100-V (DS) MOSFET Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 verfügbar. TrenchFET-Leistungs-MOSFET
CdS-Fotowiderstand Ein Fotowiderstand ist ein Widerstand aus Halbleitermaterial, dessen Leitfähigkeit sich mit der Helligkeit ändert. Je nach dieser Eigenschaft kann der Fotowiderstand mit unterschiedlichen Formen und Leuchtflächen hergestellt ...- Verbesserter 16-Kanal-LED-Treiber mit DOT-Korrektur und Graustufen-PWM-Steuerung 28-HTSSOP -40 bis 125
Einzelner N-Kanal 2,5 V spezifizierter PowerTrench MOSFET 30 V, 5,0 A, 40 mΩ Dieser einzelne N-Kanal-MOSFET wurde unter Verwendung eines fortschrittlichen Power-Trench-Prozesses entwickelt, um den RDS(on) @VGS=2,5 V auf einem speziellen ...
Schottky Diese Ergänzung der Zetex Low Leakage Schottky-Diodenreihe ist im SOD523-Gehäuse untergebracht und bietet eine ideale niedrige VF/IR-Leistung in Kombination mit einer geringen Gehäusehöhe von 0,9 mm, wodurch das Gerät für verschiedene ...
Schottky- Dieser Schottky-Gleichrichter wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen zu erfüllen. Er eignet sich ideal für den Einsatz als Verpolungsschutzdiode, Umlaufdiode und Schaltdiode.