Datasheets - Bipolare Einzeltransistoren - 4
Unterabschnitt: "Bipolare Einzeltransistoren"
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N-Kanal-Allzweckverstärker im SOT-23-Gehäuse- NPN-Hochspannungstransistor NPN-Hochspannungstransistor in einem kleinen SOT23 Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...- Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...
- Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...
- Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...
PNP-Epitaxial-Siliziumtransistor im TO-92-Gehäuse- PNP-Epitaxial-Siliziumtransistor im TO-92-Gehäuse
- PNP-Epitaxial-Siliziumtransistor im TO-92-Gehäuse
- NPN-Transistor im SOT-23-Gehäuse Ergänzend zu 2SA1252
- Silizium-NPN-Transistor im TO-92-Gehäuse
- Silizium-NPN-Transistor im TO-92-Gehäuse
- NPN-Silizium-Planar-Epitaxietransistoren
- NPN-Silizium-Planar-Epitaxietransistoren
- NPN-Silizium-Planar-Epitaxietransistoren
- Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT)
- Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT)
- Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT)
- Spannungsreferenzen Nexperia TLVH431NQDBZR TLVH431NQDBZRR
Bipolare Einzeltransistoren Nexperia TLVH431NQDBZR
Einstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände. - Spannungsreferenzen Nexperia TLVH431NMQDBZR TLVH431NMQDBZRVL
Bipolare Einzeltransistoren Nexperia TLVH431NMQDBZREinstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände.