Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB8275F provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With a propagation delay accuracy of +4/-6ns, the gate driver is optimized for fast-switching applications ...
Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB7275F provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With a propagation delay accuracy of +4/-6ns, the device is optimized for fast-switching applications with ...
Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB family of single-channel gate-driver ICs provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With +4/-6ns propagation delay accuracy the gate driver family is ...
600-V-Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi Alle Features 600-V-System im Paket mit Halbbrücken-Gate-Treiber und Hochspannungs-GaN-Leistungstransistoren: QFN 9 x 9 x 1 mm Packung R DS (EIN) = 225 mΩ I ...
Galvanisch isoliert 4 Ein Single-Gate-Treiber für SiC-MOSFETs Alle Features Hochspannungsschiene bis 1200 V. Treiberstromfähigkeit: 4 A Senke / Quelle bei 25 ° C. dV / dt transiente Störfestigkeit ± 100 V / ns im gesamten Temperaturbereich ...
600V Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi Der MASTERGAN2 ist ein fortschrittliches Stromversorgungssystem im Paket, das einen Gate-Treiber und zwei GaN-Transistoren im Enhancement-Modus in ...
24 V dual-channel low-side gate driver with high current for driving large power switches EiceDRIVER™ 24 V dual-channel low-side non-inverting gate driver for MOSFETs or IGBTs with typical 10 A source and sink currents in a DSO-8 package with ...
200 V High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-IC 200 V High- und Low-Side-Treiber-IC mit typischen 1-A-Quellen- und 1-A-Senkenströmen in einem 8-Leiter-PDIP-Gehäuse für IGBTs und MOSFETs. Auch in 8 Lead SOIC erhältlich.
200 V High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-IC 200 V High- und Low-Side-Treiber-IC mit typischen 1-A-Quellen- und 1-A-Senkenströmen in einem 8-Leiter-PDIP-Gehäuse für IGBTs und MOSFETs. Auch in 8 Lead SOIC erhältlich.
5.7 kV, 3 A single-channel highly flexible isolated gate driver with I2C configurability for DESAT, Soft-Off, UVLO, Miller clamp, TLTO and Fault EiceDRIVER™ Enhanced single-channel highly flexible isolated gate driver with ±3 A typical sinking and ...
5.7 kV, 9 A single-channel flexible isolated gate driver with active Miller clamp, adjustable DESAT and Soft-off EiceDRIVER™ Enhanced single-channel highly flexible isolated gate driver with ±9 A typical sinking and sourcing peak output current in ...
Dreifacher Halbbrückentorfahrer Der STDRIVE101 ist ein Niederspannungs-Gate-Treiber, der zum Antrieb von bürstenlosen Dreiphasenmotoren geeignet ist. Es ist ein Single-Chip mit drei Halbbrücken-Gate-Treibern für N-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Jeder ...
1200 V, 0,65 Ein dreiphasiger Gate-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode und Überstromschutz im DSO-24-Gehäuse Dreiphasen-SOI-Gate-Treiber mit 1200 V, integrierter Bootstrap-Diode und Überstromschutz mit typischen 0,35-A-Quellen- und ...
Galvanisch isoliert 4 Ein einzelner Gate-Treiber Der STGAP2HS ist ein einzelner Gate-Treiber, der eine galvanische Trennung zwischen dem Gate-Treiberkanal und der Niederspannungssteuerungs- und Schnittstellenschaltung bietet. Der Gate-Treiber ...
80 V, 12,5 A ePower-Stufe Nennausgangsstrom (1 MHz) (1), 12,5 A. Betriebs-PWM-Frequenzbereich (2), 3 MHz Betriebseingangsspannungsbereich, 60 V. Vorspannungsversorgungsspannung, 12 V. Ausgangsstrom- und PWM-Frequenzwerte sind Funktionen der ...
9A Low Side SiC MOSFET IGBT Treiber Der IX4351NE wurde speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt. Separate 9A-Quellen- und Senkenausgänge ermöglichen ein maßgeschneidertes Ein- und Ausschalten und minimieren ...