Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN4 — Datenblatt

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMASTERGAN4
ArtikelnummerMASTERGAN4

600-V-Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi

Datenblätter

Datasheet MasterGaN4
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High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT
Auszug aus dem Dokument

Preise

Detaillierte Beschreibung

Alle Features
  • 600-V-System im Paket mit Halbbrücken-Gate-Treiber und Hochspannungs-GaN-Leistungstransistoren:
    • QFN 9 x 9 x 1 mm Packung
    • R DS (EIN) = 225 mΩ
    • I DS (MAX) = 6,5 A.
  • Rückstromfähigkeit
  • Kein Reverse-Recovery-Verlust
  • UVLO-Schutz auf der Low-Side und High-Side
  • Interne Bootstrap-Diode
  • Verriegelungsfunktion
  • Spezieller Pin für die Funktion zum Herunterfahren

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)

Verpackung

PackageVFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

Modellreihe

Serie: MASTERGAN4 (2)

Herstellerklassifikation

  • Power Management > Gate Drivers > High Voltage Half Bridge Gate Drivers