Datasheets - Gate-Treiber - 4

Unterabschnitt: "Gate-Treiber"
Suchergebnisse: 1,426 Ausgabe: 61-80

Aussicht: Aufführen / Bilder

  1. Galvanisch isoliert 4 Ein einzelner Gate-Treiber Der STGAP2HS ist ein einzelner Gate-Treiber, der eine galvanische Trennung zwischen dem Gate-Treiberkanal und der Niederspannungssteuerungs- und Schnittstellenschaltung bietet. Der Gate-Treiber ...
  2. Galvanisch isoliert 4 Ein einzelner Gate-Treiber Der STGAP2HS ist ein einzelner Gate-Treiber, der eine galvanische Trennung zwischen dem Gate-Treiberkanal und der Niederspannungssteuerungs- und Schnittstellenschaltung bietet. Der Gate-Treiber ...
  1. Galvanisch isoliert 4 Ein einzelner Gate-Treiber Der STGAP2HS ist ein einzelner Gate-Treiber, der eine galvanische Trennung zwischen dem Gate-Treiberkanal und der Niederspannungssteuerungs- und Schnittstellenschaltung bietet. Der Gate-Treiber ...
  2. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2152ENGRT
    80 V, 12,5 A ePower-Stufe Nennausgangsstrom (1 MHz) (1), 12,5 A. Betriebs-PWM-Frequenzbereich (2), 3 MHz Betriebseingangsspannungsbereich, 60 V. Vorspannungsversorgungsspannung, 12 V. Ausgangsstrom- und PWM-Frequenzwerte sind Funktionen der ...
  3. 80 V, 12,5 A ePower-Stufe Nennausgangsstrom (1 MHz) (1), 12,5 A. Betriebs-PWM-Frequenzbereich (2), 3 MHz Betriebseingangsspannungsbereich, 60 V. Vorspannungsversorgungsspannung, 12 V. Ausgangsstrom- und PWM-Frequenzwerte sind Funktionen der ...
  4. 80-V-GaN-Leistungstransistor-Halbbrücke im Verbesserungsmodus
  5. 60 V GaN-Leistungstransistor-Halbbrücke im Enhancement-Mode
  6. Nicht isolierte 1-Kanal-Gate-Treiber-IC-Familie mit wirklich differenziellen Eingängen
  7. Datasheet Infineon 1EDN7550UXTSA1
    Nicht isolierte 1-Kanal-Gate-Treiber-IC-Familie mit wirklich differenziellen Eingängen
  8. 9A Low Side SiC MOSFET IGBT Treiber Der IX4351NE wurde speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt. Separate 9A-Quellen- und Senkenausgänge ermöglichen ein maßgeschneidertes Ein- und Ausschalten und minimieren ...
  9. 9A Low Side SiC MOSFET IGBT Treiber Der IX4351NE wurde speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt. Separate 9A-Quellen- und Senkenausgänge ermöglichen ein maßgeschneidertes Ein- und Ausschalten und minimieren ...
  10. 9A Low Side SiC MOSFET IGBT Treiber Der IX4351NE wurde speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt. Separate 9A-Quellen- und Senkenausgänge ermöglichen ein maßgeschneidertes Ein- und Ausschalten und minimieren ...
  11. 4-A, 6-A, 3,75-kVRMS isolierter Zweikanal-Gate-Treiber für die Automobilindustrie
  12. 4-A, 6-A, 3,75-kVRMS-isolierter Zweikanal-Gate-Treiber für 14-SOIC-40 bis 125 für Kraftfahrzeuge
  13. 4-A, 6-A, 3,75-kVRMS-isolierter Zweikanal-Gate-Treiber für 14-SOIC-40 bis 125 für Kraftfahrzeuge
  14. Datasheet Infineon 2ED21844S06JXUMA1
    650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrückentor-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode und Abschaltung im DSO-14-Gehäuse
  15. 650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrückentor-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode und Abschaltung im DSO-14-Gehäuse
  16. Datasheet Infineon 2ED2184S06FXUMA1
    650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode und Abschaltung im DSO-8-Gehäuse
  17. 650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode und Abschaltung im DSO-8-Gehäuse
  18. Datasheet Infineon 2ED21834S06JXUMA1
    650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrückentor-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-14-Gehäuse