Datasheet New Jersey Semiconductor IRFP360 — Datenblatt

HerstellerNew Jersey Semiconductor
SerieIRFP360
ArtikelnummerIRFP360

Trans-MOSFET N-CH 400 V 23A 3-polig (3 + Tab) TO-247AC

Datenblätter

Datasheet IRFP360, IRFP362
PDF, 650 Kb, Datei hochgeladen: Jun 22, 2018, Seiten: 2
Avalanche-Energy-Rated N-Channel Power MOSFETs
Auszug aus dem Dokument

Preise

Parameter

CategoryPower MOSFET
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Maximum Continuous Drain Current23 A
Maximum Drain Source Voltage400 V
Maximum Gate Source Voltage±20 V
Maximum Power Dissipation280000 mW
Number of Elements per Chip1
Operating Temperature Max150 °C
Operating Temperature Min-55 °C

Andere Optionen

IRFP362

Herstellerklassifikation

  • MOSFET