SELECT id, id2, name, name_g, rza1, model, model_index, subname, seolink, enabled, enabled_g, (MATCH (search_title) AGAINST ('irfp362')) AS score FROM expo WHERE enabled_g='1' AND id!='508515' AND rza1='07' AND (MATCH (search_title) AGAINST ('irfp362')) AND NOT (firm='New Jersey Semiconductor' AND subname='IRFP362') ORDER BY score DESC LIMIT 0,8 IRFP362 Datasheet (Datenblatt) New Jersey Semiconductor, PDF Herunterladen
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DatenblätterMOSFET-EinzeltransistorenNew Jersey Semiconductor
IRFP362

Datasheet New Jersey Semiconductor IRFP362 — Datenblatt

HerstellerNew Jersey Semiconductor
SerieIRFP362
ArtikelnummerIRFP362

Trans-MOSFET N-CH 400 V 23A 3-polig (3 + Tab) TO-247AD

Datenblätter

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Datasheet IRFP360, IRFP362
PDF, 650 Kb, Datei hochgeladen: Jun 22, 2018, Seiten: 2
Avalanche-Energy-Rated N-Channel Power MOSFETs
Auszug aus dem Dokument

Preise

Parameter

CategoryPower MOSFET
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
MaterialSi
Maximum Continuous Drain Current23 A
Maximum Drain Source Voltage400 V
Maximum Gate Source Voltage±20 V
Maximum Power Dissipation300000 mW
Number of Elements per Chip1
Operating Temperature Max150 °C
Operating Temperature Min-55 °C

Andere Optionen

IRFP360

Herstellerklassifikation

  • MOSFET