Datasheets - Bipolare Einzeltransistoren - 9
Unterabschnitt: "Bipolare Einzeltransistoren"
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50 V, 100 mA NPN/PNP-Doppeltransistor mit Widerstand; R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ NPN/PNP-Doppelwiderstandsbestückter Transistor (RET) in einem sehr kleinen SOT363 (SC-88) SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device).- 15-V-PNP-Transistor mittlerer Leistung mit hoher Verstärkung in SOT223
- PNP Epitaxial Silicon Transistor
- PNP Epitaxial Silicon Transistor
- PNP Epitaxial Silicon Transistor
- PNP Epitaxial Silicon Transistor
- NPN-Epitaxie-Silizium-Darlington-Transistor Der Darlington Bipolar Power Transistor ist für Allzweckverstärker und Schaltanwendungen mit niedriger Geschwindigkeit ausgelegt. Die TIP110, TIP111, TIP112 (NPN); TIP115, TIP116, TIP117 (PNP) sind ...
- NPN-Epitaxie-Silizium-Darlington-Transistor Der Darlington Bipolar Power Transistor ist für Allzweckverstärker und Schaltanwendungen mit niedriger Geschwindigkeit ausgelegt. Die TIP110, TIP111, TIP112 (NPN); TIP115, TIP116, TIP117 (PNP) sind ...
- NPN-Epitaxie-Silizium-Darlington-Transistor Der Darlington Bipolar Power Transistor ist für Allzweckverstärker und Schaltanwendungen mit niedriger Geschwindigkeit ausgelegt. Die TIP110, TIP111, TIP112 (NPN); TIP115, TIP116, TIP117 (PNP) sind ...
- NPN-Epitaxie-Silizium-Darlington-Transistor Der Darlington Bipolar Power Transistor ist für Allzweckverstärker und Schaltanwendungen mit niedriger Geschwindigkeit ausgelegt. Die TIP110, TIP111, TIP112 (NPN); TIP115, TIP116, TIP117 (PNP) sind ...
- NPN-Epitaxie-Silizium-Darlington-Transistor Der Darlington Bipolar Power Transistor ist für Allzweckverstärker und Schaltanwendungen mit niedriger Geschwindigkeit ausgelegt. Die TIP110, TIP111, TIP112 (NPN); TIP115, TIP116, TIP117 (PNP) sind ...
- NPN-Epitaxie-Silizium-Darlington-Transistor Der Darlington Bipolar Power Transistor ist für Allzweckverstärker und Schaltanwendungen mit niedriger Geschwindigkeit ausgelegt. Die TIP110, TIP111, TIP112 (NPN); TIP115, TIP116, TIP117 (PNP) sind ...
- VHF/UHF-Transistor im Silizium-NPN-TO-72-Gehäuse
- NPN-Transistor-Darlington-Leistungsverstärker NTE243 (NPN) und NTE244 (PNP) sind komplementäre Silizium-Darlington-Transistoren in einem TO3-Gehäuse, die für allgemeine Verstärker- und Niederfrequenz-Schaltanwendungen entwickelt wurden.
- PNP-Transistor-Darlington-Leistungsverstärker NTE243 (NPN) und NTE244 (PNP) sind komplementäre Silizium-Darlington-Transistoren in einem TO3-Gehäuse, die für allgemeine Verstärker- und Niederfrequenz-Schaltanwendungen entwickelt wurden.
- NPN-Siliziumtransistor mit eingebauten Vorspannungswiderständen
- Schalttransistor MPS3646
- Schalttransistoren MPS2369
- Schalttransistoren MPS2369A
- 50 mA, 20 V PNP-HF-Bipolar-Sperrschichttransistor Der 50 mA, 20 V PNP-HF-Bipolar-Sperrschichttransistor ist für allgemeine HF-Verstärker- und Mischeranwendungen bis 250 MHz mit Kollektorströmen im Bereich von 1,0 mA bis 30 mA ausgelegt. Aus Prozess ...