Datasheets - Bipolare Einzeltransistoren - 3
Unterabschnitt: "Bipolare Einzeltransistoren"
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NPN, 30 V, 10 A im PowerDI3333-8/SWP-Gehäuse- NPN, 60 V, 6,5 A im PowerDI3333-8/SWP-Gehäuse
- NPN, 30 V, 10 A, PowerDI3333-8
- NPN, 100 V, 5,5 A, PowerDI3333-8
- NPN, 100 V, 4 A, PowerDI3333-8
- NPN, 60 V, 6 A, PowerDI3333-8
- NPN, 30 V, 9 A, PowerDI3333-8
- NPN, 60 V, 6 A, PowerDI3333-8
- NPN, 100 V, 4 A, PowerDI3333-8
- NPN, 30 V, 9 A, PowerDI3333-8
Komplementäre PNP-Leistungstransistoren aus Siliziumplastik- Komplementäre PNP-Leistungstransistoren aus Siliziumplastik
- Komplementäre PNP-Leistungstransistoren aus Siliziumplastik
- Komplementäre NPN-Siliziumplastik-Leistungstransistoren
- Komplementäre NPN-Siliziumplastik-Leistungstransistoren
- Komplementäre NPN-Siliziumplastik-Leistungstransistoren
- 20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) NPN-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) PNP-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
Dual-NPN, 40 V, 0,2 A, SOT363- Dual-NPN, 40 V, 0,2 A, SOT363