Datasheets - Gate-Treiber - 3

Unterabschnitt: "Gate-Treiber"
Suchergebnisse: 308 Ausgabe: 41-60

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  1. Datasheet Infineon 2ED21844S06JXUMA1
    650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrückentor-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode und Abschaltung im DSO-14-Gehäuse
  2. Datasheet Infineon 2ED2184S06FXUMA1
    650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode und Abschaltung im DSO-8-Gehäuse
  1. Datasheet Infineon 2ED21834S06JXUMA1
    650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrückentor-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-14-Gehäuse
  2. Datasheet Infineon 2ED2183S06FXUMA1
    650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-8-Gehäuse
  3. Datasheet Infineon 2ED21824S06JXUMA1
    650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrückentor-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-14-Gehäuse
  4. 650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-8-Gehäuse
  5. 650 V, 2,5 Ein Hochstrom-High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-14-Gehäuse
  6. Datasheet Infineon 2ED2181S06FXUMA1
    650 V, 2,5 Ein Hochstrom-High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-8-Gehäuse
  7. Datasheet Infineon 2ED21094S06JXUMA1
    650 V, 0,7 Ein Halbbrücken-Gate-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode und Abschaltung im DSO-14-Paket
  8. Datasheet Infineon 2ED21091S06FXUMA1
    650 V, 0,7 Ein Halbbrücken-Gate-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode und Abschaltung im DSO-8-Paket
  9. 650 V, 0,7 Ein Halbbrücken-Gate-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode und Abschaltung im DSO-8-Paket
  10. 650 V, 0,7 Ein Halbbrücken-Gate-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-14-Gehäuse
  11. Datasheet Infineon 2ED2108S06FXUMA1
    650 V, 0,7 Ein Halbbrücken-Gate-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-8-Gehäuse
  12. Datasheet Infineon 2ED21064S06JXUMA1
    650 V, 0,7 Ein High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-14-Gehäuse
  13. Datasheet Infineon 2ED2106S06FXUMA1
    650 V, 0,7 Ein High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-8-Gehäuse
  14. GaN Power IC im DFN5x6-Paket Diese Geräte sind Leistungs-ICs, die auf 650-V-Leistungs-GaN-HEMTs basieren und proprietäres (zum US-Patent angemeldetes) E-Mode-GaN auf Siliziumtechnologie verwenden. Der Gate-Treiber ist in den ...
  15. GaN Power IC im DFN5x6-Paket Diese Geräte sind Leistungs-ICs, die auf 650-V-Leistungs-GaN-HEMTs basieren und proprietäres (zum US-Patent angemeldetes) E-Mode-GaN auf Siliziumtechnologie verwenden. Der Gate-Treiber ist in den ...
  16. Isolierter Präzisions-Halbbrückentreiber, 0,1 A Ausgang
  17. Isolierter Präzisions-Halbbrückentreiber, 0,1 A Ausgang
  18. Isolierter Halbbrückentreiber mit integrierter High-Side-Versorgung