Datasheets - Gate-Treiber - 3
Unterabschnitt: "Gate-Treiber"
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Nicht invertierende Hochgeschwindigkeitstreiber 16-CDIP -55 bis 125- Nicht invertierende Hochgeschwindigkeitstreiber 8-CDIP -55 bis 125
Nicht invertierende Hochgeschwindigkeitstreiber 8-CDIP -55 bis 125- Nicht invertierende Hochgeschwindigkeitstreiber 16-CDIP -55 bis 125
- Nicht invertierende Hochgeschwindigkeitstreiber 20-LCCC -55 bis 125
Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB family of single-channel gate-driver ICs provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With +4/-6ns propagation delay accuracy the gate driver family is ...- Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB family of single-channel gate-driver ICs provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With +4/-6ns propagation delay accuracy the gate driver family is ...
- Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB8275F provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With a propagation delay accuracy of +4/-6ns, the gate driver is optimized for fast-switching applications ...
- Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB8275F provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With a propagation delay accuracy of +4/-6ns, the gate driver is optimized for fast-switching applications ...
- Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB7275F provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With a propagation delay accuracy of +4/-6ns, the device is optimized for fast-switching applications with ...
- Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB7275F provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With a propagation delay accuracy of +4/-6ns, the device is optimized for fast-switching applications with ...
- Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB family of single-channel gate-driver ICs provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With +4/-6ns propagation delay accuracy the gate driver family is ...
- Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB family of single-channel gate-driver ICs provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With +4/-6ns propagation delay accuracy the gate driver family is ...
- 600-V-Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi Alle Features 600-V-System im Paket mit Halbbrücken-Gate-Treiber und Hochspannungs-GaN-Leistungstransistoren: QFN 9 x 9 x 1 mm Packung R DS (EIN) = 225 mΩ I ...
- 600-V-Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi Alle Features 600-V-System im Paket mit Halbbrücken-Gate-Treiber und Hochspannungs-GaN-Leistungstransistoren: QFN 9 x 9 x 1 mm Packung R DS (EIN) = 225 mΩ I ...
- 600-V-Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi Alle Features 600-V-System im Paket mit Halbbrücken-Gate-Treiber und Hochspannungs-GaN-Leistungstransistoren: QFN 9 x 9 x 1 mm Packung R DS (EIN) = 225 mΩ I ...
- Galvanisch isoliert 4 Ein Single-Gate-Treiber für SiC-MOSFETs Alle Features Hochspannungsschiene bis 1200 V. Treiberstromfähigkeit: 4 A Senke / Quelle bei 25 ° C. dV / dt transiente Störfestigkeit ± 100 V / ns im gesamten Temperaturbereich ...
- Galvanisch isoliert 4 Ein Single-Gate-Treiber für SiC-MOSFETs Alle Features Hochspannungsschiene bis 1200 V. Treiberstromfähigkeit: 4 A Senke / Quelle bei 25 ° C. dV / dt transiente Störfestigkeit ± 100 V / ns im gesamten Temperaturbereich ...
- Galvanisch isoliert 4 Ein Single-Gate-Treiber für SiC-MOSFETs Alle Features Hochspannungsschiene bis 1200 V. Treiberstromfähigkeit: 4 A Senke / Quelle bei 25 ° C. dV / dt transiente Störfestigkeit ± 100 V / ns im gesamten Temperaturbereich ...
- Galvanisch isoliert 4 Ein Single-Gate-Treiber für SiC-MOSFETs Alle Features Hochspannungsschiene bis 1200 V. Treiberstromfähigkeit: 4 A Senke / Quelle bei 25 ° C. dV / dt transiente Störfestigkeit ± 100 V / ns im gesamten Temperaturbereich ...