Datasheets - Gate-Treiber - 3

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41. X4351NE — Datasheet IXYS
    Gate-Treiber IXYS IX4351NE X4351NE
    9A Low Side SiC MOSFET IGBT Treiber Der IX4351NE wurde speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt. Separate 9A-Quellen- und Senkenausgänge ermöglichen ein maßgeschneidertes Ein- und Ausschalten und minimieren ...
42. UCC21320QDWKQ1 — Datasheet Texas Instruments
    Gate-Treiber Texas Instruments UCC21320-Q1 UCC21320QDWKQ1
    4-A, 6-A, 3,75-kVRMS-isolierter Zweikanal-Gate-Treiber für 14-SOIC-40 bis 125 für Kraftfahrzeuge

43. 2ED21844S06JXUMA1 — Datasheet Infineon
    Gate-Treiber Infineon 2ED218x 2ED21844S06J 2ED21844S06JXUMA1
    

    650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrückentor-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode und Abschaltung im DSO-14-Gehäuse
44. 2ED2184S06FXUMA1 — Datasheet Infineon
    Gate-Treiber Infineon 2ED218x 2ED2184S06F 2ED2184S06FXUMA1
    

    650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode und Abschaltung im DSO-8-Gehäuse
45. 2ED21834S06JXUMA1 — Datasheet Infineon
    Gate-Treiber Infineon 2ED218x 2ED21834S06J 2ED21834S06JXUMA1
    

    650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrückentor-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-14-Gehäuse
46. 2ED2183S06FXUMA1 — Datasheet Infineon
    Gate-Treiber Infineon 2ED218x 2ED2183S06F 2ED2183S06FXUMA1
    

    650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-8-Gehäuse
47. 2ED21824S06J — Datasheet Infineon
    Gate-Treiber Infineon 2ED218x 2ED21824S06J
    650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrückentor-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-14-Gehäuse
48. 2ED2182S06FXUMA1 — Datasheet Infineon
    Gate-Treiber Infineon 2ED218x 2ED2182S06F 2ED2182S06FXUMA1
    

    650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-8-Gehäuse
49. 2ED21814S06JXUMA1 — Datasheet Infineon
    Gate-Treiber Infineon 2ED218x 2ED21814S06J 2ED21814S06JXUMA1
    

    650 V, 2,5 Ein Hochstrom-High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-14-Gehäuse
50. 2ED2181S06FXUMA1 — Datasheet Infineon
    Gate-Treiber Infineon 2ED218x 2ED2181S06F 2ED2181S06FXUMA1
    

    650 V, 2,5 Ein Hochstrom-High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-8-Gehäuse
51. 2ED21094S06JXUMA1 — Datasheet Infineon
    Gate-Treiber Infineon 2ED210x 2ED21094S06J 2ED21094S06JXUMA1
    

    650 V, 0,7 Ein Halbbrücken-Gate-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode und Abschaltung im DSO-14-Paket
52. 2ED21091S06F — Datasheet Infineon
    Gate-Treiber Infineon 2ED210x 2ED21091S06F
    650 V, 0,7 Ein Halbbrücken-Gate-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode und Abschaltung im DSO-8-Paket
53. 2ED2109S06FXUMA1 — Datasheet Infineon
    Gate-Treiber Infineon 2ED210x 2ED2109S06F 2ED2109S06FXUMA1
    

    650 V, 0,7 Ein Halbbrücken-Gate-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode und Abschaltung im DSO-8-Paket
54. 2ED21084S06JXUMA1 — Datasheet Infineon
    Gate-Treiber Infineon 2ED210x 2ED21084S06J 2ED21084S06JXUMA1
    

    650 V, 0,7 Ein Halbbrücken-Gate-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-14-Gehäuse
55. 2ED2108S06FXUMA1 — Datasheet Infineon
    Gate-Treiber Infineon 2ED210x 2ED2108S06F 2ED2108S06FXUMA1
    

    650 V, 0,7 Ein Halbbrücken-Gate-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-8-Gehäuse
56. 2ED21064S06JXUMA1 — Datasheet Infineon
    Gate-Treiber Infineon 2ED210x 2ED21064S06J 2ED21064S06JXUMA1
    

    650 V, 0,7 Ein High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-14-Gehäuse
57. 2ED2106S06F — Datasheet Infineon
    Gate-Treiber Infineon 2ED210x 2ED2106S06F
    650 V, 0,7 Ein High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-8-Gehäuse
58. GPI8HIRGIC — Datasheet GaNPower International
    Gate-Treiber GaNPower International GPI8HIRGIC
    GaN Power IC im DFN5x6-Paket Diese Geräte sind Leistungs-ICs, die auf 650-V-Leistungs-GaN-HEMTs basieren und proprietäres (zum US-Patent angemeldetes) E-Mode-GaN auf Siliziumtechnologie verwenden. Der Gate-Treiber ist in den ...
59. GPI8HINOIC — Datasheet GaNPower International
    Gate-Treiber GaNPower International GPI8HINOIC
    GaN Power IC im DFN5x6-Paket Diese Geräte sind Leistungs-ICs, die auf 650-V-Leistungs-GaN-HEMTs basieren und proprietäres (zum US-Patent angemeldetes) E-Mode-GaN auf Siliziumtechnologie verwenden. Der Gate-Treiber ist in den ...
60. ADUM1233BRWZ — Datasheet Analog Devices
    Gate-Treiber Analog Devices ADUM1233 ADUM1233BRWZ
    Isolierter Präzisions-Halbbrückentreiber, 0,1 A Ausgang