Datasheets

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  1. Datasheet Fairchild KSP94
    Hochspannungs-PNP-Epitaxial-Siliziumtransistor im TO-92-Gehäuse
  2. Datasheet Diodes ZVNL110A
    Vertikaler N-Kanal-Anreicherungs-DMOS-FET im E-Line-Gehäuse
  1. Datasheet Diodes ZVNL110ASTZ
    Vertikaler N-Kanal-Anreicherungs-DMOS-FET im E-Line-Gehäuse
  2. Datasheet ON Semiconductor BC372
    NPN-Bipolartransistor für hohe Spannungen in Darlington-Bauweise im TO-92-Gehäuse Dieser NPN-Bipolar-Darlington-Transistor ist für Schaltanwendungen wie Druckerhämmer, Relais, Magnetspulen und Lampentreiber konzipiert. Das Bauteil ist im ...
  3. Datasheet ON Semiconductor BC373RL1
    NPN-Bipolartransistor für hohe Spannungen in Darlington-Bauweise im TO-92-Gehäuse Dieser NPN-Bipolar-Darlington-Transistor ist für Schaltanwendungen wie Druckerhämmer, Relais, Magnetspulen und Lampentreiber konzipiert. Das Bauteil ist im ...
  4. Datasheet ON Semiconductor BC373RL1G
    NPN-Bipolartransistor für hohe Spannungen in Darlington-Bauweise im TO-92-Gehäuse Dieser NPN-Bipolar-Darlington-Transistor ist für Schaltanwendungen wie Druckerhämmer, Relais, Magnetspulen und Lampentreiber konzipiert. Das Bauteil ist im ...
  5. Datasheet ON Semiconductor BC373ZL1
    NPN-Bipolartransistor für hohe Spannungen in Darlington-Bauweise im TO-92-Gehäuse Dieser NPN-Bipolar-Darlington-Transistor ist für Schaltanwendungen wie Druckerhämmer, Relais, Magnetspulen und Lampentreiber konzipiert. Das Bauteil ist im ...
  6. Datasheet ON Semiconductor BC373
    NPN-Bipolartransistor für hohe Spannungen in Darlington-Bauweise im TO-92-Gehäuse Dieser NPN-Bipolar-Darlington-Transistor ist für Schaltanwendungen wie Druckerhämmer, Relais, Magnetspulen und Lampentreiber konzipiert. Das Bauteil ist im ...
  7. Datasheet ON Semiconductor BC373ZL1G
    NPN-Bipolartransistor für hohe Spannungen in Darlington-Bauweise im TO-92-Gehäuse Dieser NPN-Bipolar-Darlington-Transistor ist für Schaltanwendungen wie Druckerhämmer, Relais, Magnetspulen und Lampentreiber konzipiert. Das Bauteil ist im ...
  8. Datasheet ON Semiconductor BC373G
    NPN-Bipolartransistor für hohe Spannungen in Darlington-Bauweise im TO-92-Gehäuse Dieser NPN-Bipolar-Darlington-Transistor ist für Schaltanwendungen wie Druckerhämmer, Relais, Magnetspulen und Lampentreiber konzipiert. Das Bauteil ist im ...
  9. Datasheet ON Semiconductor BC372G
    NPN-Bipolartransistor für hohe Spannungen in Darlington-Bauweise im TO-92-Gehäuse Dieser NPN-Bipolar-Darlington-Transistor ist für Schaltanwendungen wie Druckerhämmer, Relais, Magnetspulen und Lampentreiber konzipiert. Das Bauteil ist im ...
  10. Datasheet ON Semiconductor 2N5064RLRMG
    Empfindliche, siliziumgesteuerte Gleichrichter mit Gate-Spannung, 0,8 A RMS im TO-92-Gehäuse Sperrthyristoren der Serie 2N5060. Ringförmige PNPN-Bausteine für den Einsatz in Massenanwendungen wie Relais- und Lampentreibern, kleinen ...
  11. Datasheet ON Semiconductor 2N5064RLRAG
    Empfindliche, siliziumgesteuerte Gleichrichter mit Gate-Spannung, 0,8 A RMS im TO-92-Gehäuse Sperrthyristoren der Serie 2N5060. Ringförmige PNPN-Bausteine für den Einsatz in Massenanwendungen wie Relais- und Lampentreibern, kleinen ...
  12. Datasheet ON Semiconductor 2N5064G
    Empfindliche, siliziumgesteuerte Gleichrichter mit Gate-Spannung, 0,8 A RMS im TO-92-Gehäuse Sperrthyristoren der Serie 2N5060. Ringförmige PNPN-Bausteine für den Einsatz in Massenanwendungen wie Relais- und Lampentreibern, kleinen ...
  13. Datasheet ON Semiconductor 2N5061RLRAG
    Empfindliche, siliziumgesteuerte Gleichrichter mit Gate-Spannung, 0,8 A RMS im TO-92-Gehäuse Sperrthyristoren der Serie 2N5060. Ringförmige PNPN-Bausteine für den Einsatz in Massenanwendungen wie Relais- und Lampentreibern, kleinen ...
  14. Datasheet ON Semiconductor 2N5061G
    Empfindliche, siliziumgesteuerte Gleichrichter mit Gate-Spannung, 0,8 A RMS im TO-92-Gehäuse Sperrthyristoren der Serie 2N5060. Ringförmige PNPN-Bausteine für den Einsatz in Massenanwendungen wie Relais- und Lampentreibern, kleinen ...
  15. Datasheet ON Semiconductor 2N5060G
    Empfindliche, siliziumgesteuerte Gleichrichter mit Gate-Spannung, 0,8 A RMS im TO-92-Gehäuse Sperrthyristoren der Serie 2N5060. Ringförmige PNPN-Bausteine für den Einsatz in Massenanwendungen wie Relais- und Lampentreibern, kleinen ...
  16. Datasheet ON Semiconductor 2N5060RLRA
    Empfindliche, siliziumgesteuerte Gleichrichter mit Gate-Spannung, 0,8 A RMS im TO-92-Gehäuse Sperrthyristoren der Serie 2N5060. Ringförmige PNPN-Bausteine für den Einsatz in Massenanwendungen wie Relais- und Lampentreibern, kleinen ...
  17. Datasheet ON Semiconductor 2N5060RLRAG
    Empfindliche, siliziumgesteuerte Gleichrichter mit Gate-Spannung, 0,8 A RMS im TO-92-Gehäuse Sperrthyristoren der Serie 2N5060. Ringförmige PNPN-Bausteine für den Einsatz in Massenanwendungen wie Relais- und Lampentreibern, kleinen ...
  18. Datasheet ON Semiconductor 2N5060RLRMG
    Empfindliche, siliziumgesteuerte Gleichrichter mit Gate-Spannung, 0,8 A RMS im TO-92-Gehäuse Sperrthyristoren der Serie 2N5060. Ringförmige PNPN-Bausteine für den Einsatz in Massenanwendungen wie Relais- und Lampentreibern, kleinen ...