Datasheets
Image search: Image search 
Suchergebnisse: 88 Ausgabe: 1-20
Aussicht: Aufführen / Bilder
- 20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 40 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- NPN-Hochspannungstransistor NPN-Hochspannungstransistor in einem kleinen SOT23 Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- ESD-Schutz für Fahrzeugnetzwerke ESD-Schutzgerät in einem kleinen SOT23 Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse, das zum Schutz von zwei Fahrzeug-Netzwerkbusleitungen vor Schäden durch elektrostatische Entladung (ESD) und andere Transienten ...
- ESD-Schutz für Fahrzeugnetzwerke ESD-Schutzgerät in einem kleinen SOT23 Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse, das zum Schutz von zwei Fahrzeug-Netzwerkbusleitungen vor Schäden durch elektrostatische Entladung (ESD) und andere Transienten ...
- ESD-Schutz für Fahrzeugnetzwerke ESD-Schutzgerät in einem kleinen SOT23 Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse, das zum Schutz von zwei Fahrzeug-Netzwerkbusleitungen vor Schäden durch elektrostatische Entladung (ESD) und andere Transienten ...
- ESD-Schutz für Fahrzeugnetzwerke ESD-Schutzgerät in einem kleinen SOT23 Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse, das zum Schutz von zwei Fahrzeug-Netzwerkbusleitungen vor Schäden durch elektrostatische Entladung (ESD) und andere Transienten ...
- ESD-Schutz für Fahrzeugnetzwerke ESD-Schutzgerät in einem kleinen SOT23 Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse, das zum Schutz von zwei Fahrzeug-Netzwerkbusleitungen vor Schäden durch elektrostatische Entladung (ESD) und andere Transienten ...
- ESD-Schutz für Fahrzeugnetzwerke ESD-Schutzgerät in einem kleinen SOT23 Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse, das zum Schutz von zwei Fahrzeug-Netzwerkbusleitungen vor Schäden durch elektrostatische Entladung (ESD) und andere Transienten ...
- Spannungsreferenzen Nexperia TLVH431NQDBZR TLVH431NQDBZRR
Bipolare Einzeltransistoren Nexperia TLVH431NQDBZREinstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände. - Spannungsreferenzen Nexperia TLVH431NQDBZR TLVH431NQDBZRVL
Bipolare Einzeltransistoren Nexperia TLVH431NQDBZREinstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände. - Spannungsreferenzen Nexperia TLVH431NMQDBZR TLVH431NMQDBZRR
Bipolare Einzeltransistoren Nexperia TLVH431NMQDBZREinstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände. - Spannungsreferenzen Nexperia TLVH431NMQDBZR TLVH431NMQDBZRVL
Bipolare Einzeltransistoren Nexperia TLVH431NMQDBZREinstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände. - Spannungsreferenzen Nexperia TLVH431NAMQDBZR TLVH431NAMQDBZRR
Bipolare Einzeltransistoren Nexperia TLVH431NAMQDBZREinstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände. - Spannungsreferenzen Nexperia TLVH431NAMQDBZR TLVH431NAMQDBZRVL
Bipolare Einzeltransistoren Nexperia TLVH431NAMQDBZREinstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände. - Spannungsreferenzen Nexperia TLVH431NAIDBZR TLVH431NAIDBZRR
Bipolare Einzeltransistoren Nexperia TLVH431NAIDBZREinstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände.
