Datasheets - Bipolare Einzeltransistoren STMicroelectronics - 2
Unterabschnitt: "Bipolare Einzeltransistoren"
Hersteller: "STMicroelectronics"
Hersteller
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2N3019 2N3439 2N3440 2N4033 BD135 BD136 BD139 BD140 BD677 BD678 BD679 BD680 BD681 BD682 BD909 BD910 BD911 BD912 D44H11 D44H8 D45H11 D45H8 STX817A TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147 TIP147T TIP31C TIP41A TIP42ASuchergebnisse: 291 Ausgabe: 21-40
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- Komplementäre Silizium-Leistungs-Darlington-Transistoren
- Komplementäre Silizium-Leistungs-Darlington-Transistoren
- Niederspannungs-PNP-Leistungstransistor Alle Features Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Niederspannungs-NPN-Leistungstransistor Alle Features Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- NPN SILIZIUM LEISTUNGSTRANSISTOREN Alle Features Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- PNP SILIZIUM LEISTUNGSTRANSISTOREN Alle Features Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Silizium-NPN-Transistoren Die 2N3439 und 2N3440 sind epitaktische planare NPN-Transistoren aus Silizium in einem jedec TO-39-Metallgehäuse, das für den Einsatz in Verbraucher- und industriell betriebenen Anwendungen entwickelt wurde.
- Silizium-NPN-Transistoren Die 2N3439 und 2N3440 sind epitaktische planare NPN-Transistoren aus Silizium in einem jedec TO-39-Metallgehäuse, das für den Einsatz in Verbraucher- und industriell betriebenen Anwendungen entwickelt wurde.
PNP Mittlere Leistungstransistor im TO-92-Gehäuse Spezifikationen: Kollektor-Emitter-Spannung V (br) ceo: 80 V. Kollektor-Emitter-Spannung Vces: 250 mV Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max: 1 A. Strom Ic Kontinuierlich a Max: 1 A. ...- ERGÄNZENDE SILIKON-LEISTUNGSTRANSISTOREN Der TIP31C ist ein NPN-Leistungstransistor mit Basisinseltechnologie in TO-220-Kunststoffgehäuse mit besseren Leistungen als der Industriestandard TIP31C, der dieses Gerät für Audio-, Leistungslinear- und ...
- Kleinsignal-PNP-Transistor Der 2N4033 ist ein planarer epitaktischer Silizium-PNP-Transistor im Jedec TO-39-Metallgehäuse, der hauptsächlich für industrielle Anwendungen mit großem Signal und geringem Rauschen vorgesehen ist.
Siliziumplanarer epitaktischer NPN-Transistor- ZUSÄTZLICHE SILIKONKRAFT DARLINGTON TRANSISTOREN
Part Number: STX724 Manufacturer: STMicroelectronics Description: TRANSISTOR, NPN, 30 V, 3 A, TO-92 Download Data Sheet Docket: STX724 NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR n TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY Figure 1: Package ...- Part Number: STX13005 Manufacturer: STMicroelectronics Description: TRANSISTOR, NPN, 700 V, TO-92 Download Data Sheet Docket: STX13005 High voltage fast-switching NPN power transistor Features High voltage capability Low spread of dynamic ...
Part Number: STN724 Manufacturer: STMicroelectronics Description: TRANSISTOR, NPN, 30 V, 3 A, SOT-223 Download Data Sheet Docket: Power bipolar transistors Selection guide December 2005 www.st.com/bipolar Electronic light ballast design-in ...
Part Number: STF826 Manufacturer: STMicroelectronics Description: TRANSISTOR, PNP, SOT-89 Download Data Sheet Docket: Power bipolar transistors Selection guide December 2005 www.st.com/bipolar Electronic light ballast design-in guidelines ...
Part Number: STF715 Manufacturer: STMicroelectronics Description: TRANSISTOR, NPN, 140 V, 1.5 A, SOT-89 Download Data Sheet Docket: STF715 STN715 NPN low voltage transistors Features Low voltage small devices for surface mounting High ruggedness 4 ...
Part Number: STC04DE170HV Manufacturer: STMicroelectronics Description: TRANSISTOR, 1700 V, 4 A, TO247-4L Download Data Sheet Docket: STC04IE170HV Emitter switched bipolar transistor ESBT 1700V - 4A - 0.17 General features Table 1. VCS(ON) 0.7V ...- Part Number: STBV45 Manufacturer: STMicroelectronics Description: TRANSISTOR, NPN TO-92 Download Data Sheet Docket: STBV45 High voltage fast-switching NPN power transistor Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters Minimum ...
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