Datasheet STMicroelectronics STX817A-AP — Datenblatt

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTX817A
ArtikelnummerSTX817A-AP
Datasheet STMicroelectronics STX817A-AP

PNP Mittlere Leistungstransistor im TO-92-Gehäuse

Datenblätter

Datasheet STX817A
PDF, 143 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Jul 6, 2020, Seiten: 9
PNP Medium power transistor
Auszug aus dem Dokument

Preise

Detaillierte Beschreibung

Spezifikationen:

  • Kollektor-Emitter-Spannung V (br) ceo: 80 V.

  • Kollektor-Emitter-Spannung Vces: 250 mV
  • Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max: 1 A.
  • Strom Ic Kontinuierlich a Max: 1 A.
  • DC-Kollektorstrom: 1 A.
  • Gleichstromverstärkung min: 25
  • Gleichstromverstärkung: 1 A.
  • Verstärkungsbandbreite ft Typ: 50 MHz
  • Montagetyp: Durchgangsloch
  • Anzahl der Stifte: 3
  • Paket / Fall: TO-92
  • Verlustleistung Pd: 900 mW
  • Verlustleistung Ptot Max: 900 mW
  • SVHC: Kein SVHC (15.12.2010)
  • Transistorgehäusestil: TO-92
  • Transistorpolarität: PNP
  • Spannung Vcbo: 80 V.
  • RoHS: Ja

Modellreihe

Serie: STX817A (2)

Herstellerklassifikation

  • Bipolar transistor

Andere Namen:

STX817AAP, STX817A AP