6-poliger DIP-Hochspannungs-Fototransistor-Ausgangsoptokoppler Die Bausteine 4N38M, H11D1M, H11D3M und MOC8204M sind optisch gekoppelte Optoisolatoren vom Fototransistortyp. Eine Infrarot-Emitterdiode aus Galliumarsenid ist mit einem ...
6-poliger DIP-Hochspannungs-Fototransistor-Ausgangsoptokoppler Die Bausteine 4N38M, H11D1M, H11D3M und MOC8204M sind optisch gekoppelte Optoisolatoren vom Fototransistortyp. Eine Infrarot-Emitterdiode aus Galliumarsenid ist mit einem ...
6-poliger DIP-Hochspannungs-Fototransistor-Ausgangsoptokoppler Die Bausteine 4N38M, H11D1M, H11D3M und MOC8204M sind optisch gekoppelte Optoisolatoren vom Fototransistortyp. Eine Infrarot-Emitterdiode aus Galliumarsenid ist mit einem ...
6-poliger DIP-Hochspannungs-Fototransistor-Ausgangsoptokoppler Die Bausteine 4N38M, H11D1M, H11D3M und MOC8204M sind optisch gekoppelte Optoisolatoren vom Fototransistortyp. Eine Infrarot-Emitterdiode aus Galliumarsenid ist mit einem ...
6-poliger DIP-Optokoppler mit bilateralem Analog-FET-Ausgang Die H11FXM-Serie besteht aus einer Gallium-Aluminium-Arsenid-IRED-emittierenden Diode, die mit einem symmetrischen bilateralen Silizium-Fotodetektor gekoppelt ist. Der Detektor ist vom ...
6-poliger DIP-Optokoppler mit bilateralem Analog-FET-Ausgang Die H11FXM-Serie besteht aus einer Gallium-Aluminium-Arsenid-IRED-emittierenden Diode, die mit einem symmetrischen bilateralen Silizium-Fotodetektor gekoppelt ist. Der Detektor ist vom ...