Datasheet JX3S0020120M (JX Semiconductor) - 7

HerstellerJX Semiconductor
Beschreibung1200V, 40 Ohm, Silicon Carbide MOSFET in TO-247-3L package
Seiten / Seite10 / 7 — JX3S0040R120MC. 输出电容存储能量. Output Capacitor Stored Energy. Capacitances. …
Dateiformat / GrößePDF / 813 Kb
DokumentenspracheEnglisch

JX3S0040R120MC. 输出电容存储能量. Output Capacitor Stored Energy. Capacitances. EOSS=f(VDS)

JX3S0040R120MC 输出电容存储能量 Output Capacitor Stored Energy Capacitances EOSS=f(VDS)

Modelllinie für dieses Datenblatt

Textversion des Dokuments

JX3S0040R120MC 输出电容存储能量 电容 Output Capacitor Stored Energy Capacitances EOSS=f(VDS) Capacitances=f(VDS), TJ=25 , VAC=25mV, f=100KHz, (0- 200V) 电容 连续漏极电流衰减 Capacitances Continuous Drain Current Derating Capacitances=f(VDS), TJ=25 , VAC=25mV, f=100KHz, (0-1000V) IDS(DC)=f(TC), TJ≤150
Document Outline 特点 Features