Datenblätter
Mehr
Only-Datasheet.com
Über uns Zusammenarbeit Werbung Kontakte
en - English ru - Русский es - Espanol zh - 中文
Rlocman.de - Alles über Elektronik
DatenblätterDatasheet JX3S0020120M (JX Semiconductor)

Datasheet JX3S0020120M (JX Semiconductor) - 6

HerstellerJX Semiconductor
Beschreibung1200V, 40 Ohm, Silicon Carbide MOSFET in TO-247-3L package
Seiten / Seite10 / 6 — JX3S0040R120MC. 阈值电压. 栅极电荷特性. Threshold Voltage. Gate Charge …
Dateiformat / GrößePDF / 813 Kb
DokumentenspracheEnglisch

JX3S0040R120MC. 阈值电压. 栅极电荷特性. Threshold Voltage. Gate Charge Characteristics. VGS(th)=f(TJ), VGS=VDS, IDS=10mA

JX3S0040R120MC 阈值电压 栅极电荷特性 Threshold Voltage Gate Charge Characteristics VGS(th)=f(TJ), VGS=VDS, IDS=10mA

Modelllinie für dieses Datenblatt

JX3S0040R120MC

Textversion des Dokuments

JX3S0040R120MC 阈值电压 栅极电荷特性 Threshold Voltage Gate Charge Characteristics VGS(th)=f(TJ), VGS=VDS, IDS=10mA VGS=f(QG), IDS=40A, IGS=50mA, VDS=800V, TJ=25 第三象限特性 第三象限特性 3rd Quadrant Characteristics 3rd Quadrant Characteristics IDS=f(VDS), TJ=25
℃
IDS=f(VDS), TJ=150
℃ Document Outline 特点 Features