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DatenblätterDatasheet JX3S0020120M (JX Semiconductor)

Datasheet JX3S0020120M (JX Semiconductor) - 5

HerstellerJX Semiconductor
Beschreibung1200V, 40 Ohm, Silicon Carbide MOSFET in TO-247-3L package
Seiten / Seite10 / 5 — JX3S0040R120MC. 导通电阻. 转移特性. On-Resistance. Transfer Characteristics. …
Dateiformat / GrößePDF / 813 Kb
DokumentenspracheEnglisch

JX3S0040R120MC. 导通电阻. 转移特性. On-Resistance. Transfer Characteristics. RDS(on)=f(TJ), IDS=40A. IDS=f(VGS), VDS=20V. 体二极管特性

JX3S0040R120MC 导通电阻 转移特性 On-Resistance Transfer Characteristics RDS(on)=f(TJ), IDS=40A IDS=f(VGS), VDS=20V 体二极管特性

Modelllinie für dieses Datenblatt

JX3S0040R120MC

Textversion des Dokuments

JX3S0040R120MC 导通电阻 转移特性 On-Resistance Transfer Characteristics RDS(on)=f(TJ), IDS=40A IDS=f(VGS), VDS=20V 体二极管特性 体二极管特性 Body Diode Characteristics Body Diode Characteristics IDS=f(VDS), TJ=25
℃
IDS=f(VDS), TJ=150
℃ Document Outline 特点 Features