Datasheet JX3S0020120M (JX Semiconductor) - 4

HerstellerJX Semiconductor
Beschreibung1200V, 40 Ohm, Silicon Carbide MOSFET in TO-247-3L package
Seiten / Seite10 / 4 — JX3S0040R120MC. 输出特性. Output Characteristics. IDS=f(VDS), TJ=25. …
Dateiformat / GrößePDF / 813 Kb
DokumentenspracheEnglisch

JX3S0040R120MC. 输出特性. Output Characteristics. IDS=f(VDS), TJ=25. IDS=f(VDS), TJ=150. 标准化导通电阻. 导通电阻. Normalized On-Resistance

JX3S0040R120MC 输出特性 Output Characteristics IDS=f(VDS), TJ=25 IDS=f(VDS), TJ=150 标准化导通电阻 导通电阻 Normalized On-Resistance

Modelllinie für dieses Datenblatt

Textversion des Dokuments

JX3S0040R120MC 输出特性 输出特性 Output Characteristics Output Characteristics IDS=f(VDS), TJ=25 IDS=f(VDS), TJ=150 标准化导通电阻 导通电阻 Normalized On-Resistance On-Resistance RDS(on)=f(TJ), IDS=40A, VGS=18V RDS(on)=f(IDS), VGS=18V
Document Outline 特点 Features