Datasheet ON Semiconductor MTP3N60E — Datenblatt

HerstellerON Semiconductor
SerieMTP3N60E

1,0 A, 20 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage

Datenblätter

Datasheet MTP3N60E
PDF, 292 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Sep 27, 2022, Seiten: 9
TMOS E−FET High Energy Power FET N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate
Auszug aus dem Dokument

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Detaillierte Beschreibung

Der Schottky Powermite verwendet das Schottky-Barrieren-Prinzip mit einem Barrierenmetall und einer epitaxialen Konstruktion, die einen optimalen Kompromiss zwischen Durchlassspannung und Sperrstrom erzeugt.

Die fortschrittlichen Verpackungstechniken sorgen für einen hocheffizienten, platzsparenden, oberflächenmontierbaren Mikro-Miniatur-Gleichrichter. Mit seinem einzigartigen Kühlkörperdesign hat der Powermite die gleiche thermische Leistung wie der SMA, ist jedoch 50 % kleiner in der Grundfläche und bietet eines der niedrigsten Höhenprofile der Branche, < 1,1 mm. Aufgrund seiner geringen Größe ist es ideal für den Einsatz in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Mobiltelefonen und schnurlosen Telefonen, Ladegeräten, Notebooks, Druckern, PDAs und PCMCIA-Karten. Typische Anwendungen sind AC/DC- und DC/DC-Wandler, Verpolungsschutz und „Oder-Verknüpfung“ mehrerer Versorgungsspannungen sowie alle anderen Anwendungen, bei denen Leistung und Größe entscheidend sind.

Modellreihe

Serie: MTP3N60E (1)

Herstellerklassifikation

  • Discretes & Drivers > MOSFETs