Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN4 — Datenblatt

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMASTERGAN4

600-V-Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi

Datenblätter

Datasheet MasterGaN4
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High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT
Auszug aus dem Dokument

Preise

Detaillierte Beschreibung

Alle Features
  • 600-V-System im Paket mit Halbbrücken-Gate-Treiber und Hochspannungs-GaN-Leistungstransistoren:
    • QFN 9 x 9 x 1 mm Packung
    • R DS (EIN) = 225 mΩ
    • I DS (MAX) = 6,5 A.
  • Rückstromfähigkeit
  • Kein Reverse-Recovery-Verlust
  • UVLO-Schutz auf der Low-Side und High-Side
  • Interne Bootstrap-Diode
  • Verriegelungsfunktion
  • Spezieller Pin für die Funktion zum Herunterfahren

Status

MASTERGAN4MASTERGAN4TR
Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)Active (Recommended for new designs)

Verpackung

MASTERGAN4MASTERGAN4TR
PackageVFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MMVFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

Modellreihe

Serie: MASTERGAN4 (2)

Herstellerklassifikation

  • Power Management > Gate Drivers > High Voltage Half Bridge Gate Drivers