Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN4 — Datenblatt
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | MASTERGAN4 |
600-V-Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi
Datenblätter
Datasheet MASTERGAN4
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High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT
High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT
Auszug aus dem Dokument
Preise
Detaillierte Beschreibung
Alle Features- 600-V-System im Paket mit Halbbrücken-Gate-Treiber und Hochspannungs-GaN-Leistungstransistoren:
- QFN 9 x 9 x 1 mm Packung
- R DS (EIN) = 225 mΩ
- I DS (MAX) = 6,5 A.
- Rückstromfähigkeit
- Kein Reverse-Recovery-Verlust
- UVLO-Schutz auf der Low-Side und High-Side
- Interne Bootstrap-Diode
- Verriegelungsfunktion
- Spezieller Pin für die Funktion zum Herunterfahren
Status
| MASTERGAN4 | MASTERGAN4TR | |
|---|---|---|
| Lifecycle Status | Active (Recommended for new designs) | Active (Recommended for new designs) |
Verpackung
| MASTERGAN4 | MASTERGAN4TR | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Package | VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM | VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM |
Modellreihe
Serie: MASTERGAN4 (2)
Herstellerklassifikation
- Power Management > Gate Drivers > High Voltage Half Bridge Gate Drivers