Datasheet Motorola MTP2N50E — Datenblatt

HerstellerMotorola
SerieMTP2N50E
ArtikelnummerMTP2N50E

TMOS-E-FET-Leistungsfeldeffekttransistor - Silizium-Gate im N-Kanal-Verbesserungsmodus - TMOS-Leistungs-FET 2,0 Ampere 500 Volt RDS (ein) = 3,6 Ohm - Gehäuse 221A - 06, Typ 5, TO - 220AB

Datenblätter

Datasheet MTP2N50E
PDF, 253 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Feb 12, 2021, Seiten: 8
TMOS E-FET Power Field Effect Transistor - N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate - TMOS Power FET 2.0 Amperes 500 Volts RDS(on) = 3.6 Ohm - Case 221A–06, Style 5 TO–220AB
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Preise

Detaillierte Beschreibung

Dieser Hochspannungs-MOSFET verwendet ein erweitertes Abschlussschema, um eine verbesserte Spannungsblockierungsfähigkeit bereitzustellen, ohne die Leistung im Laufe der Zeit zu beeinträchtigen.

Darüber hinaus ist dieser fortschrittliche TMOS E-FET so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hohen Energien standhält.