Datasheet ON Semiconductor MTP2P50E — Datenblatt

HerstellerON Semiconductor
SerieMTP2P50E
ArtikelnummerMTP2P50E

Leistungs-MOSFET -500V -2A 6 Ohm einzelner P-Kanal TO-220

Datenblätter

Datasheet MTP2P50EG
PDF, 241 Kb, Sprache: en, Revision: 7, Datei hochgeladen: Feb 12, 2021, Seiten: 8
Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts, P−Channel TO−220
Auszug aus dem Dokument

Preise

Detaillierte Beschreibung

Dieser Hochspannungs-MOSFET verwendet ein fortschrittliches Abschlussschema, um eine verbesserte Spannungsblockierungsfähigkeit bereitzustellen, ohne die Leistung im Laufe der Zeit zu beeinträchtigen.

Darüber hinaus ist dieser Leistungs-MOSFET so ausgelegt, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hohen Energien standhält. Das energieeffiziente Design bietet auch eine Drain-Source-Diode mit einer schnellen Erholungszeit. Diese Geräte wurden für Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen in Netzteilen, Wandlern und PWM-Motorsteuerungen entwickelt und eignen sich besonders für Brückenschaltungen, bei denen die Diodengeschwindigkeit und der kommutierungssichere Betriebsbereich von entscheidender Bedeutung sind und einen zusätzlichen Sicherheitsspielraum gegen unerwartete Spannungstransienten bieten.

Modellreihe

Serie: MTP2P50E (2)

Herstellerklassifikation

  • Discretes & Drivers > MOSFETs