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1. JX4S0040R065M — Datasheet JX Semiconductor
   Einzelne FETs, MOSFETs JX Semiconductor JX4S0040R065M
   

   650-V-N-Kanal-MOSFET im TO247-4-Gehäuse Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) nutzen eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der ...
2. JX3S0040065M — Datasheet JX Semiconductor
   Einzelne FETs, MOSFETs JX Semiconductor JX3S0040065M
   

   650-V-N-Kanal-MOSFET im TO247-3-Gehäuse Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) nutzen eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der ...

3. JX0320R065MT3 — Datasheet JX Semiconductor
   Einzelne FETs, MOSFETs JX Semiconductor JX0320R065MT3
   

   650-V-N-Kanal-MOSFET im TO247-3-Gehäuse
4. CLF09H4LS800PU — Datasheet Ampleon
   Einzelne FETs, MOSFETs Ampleon CLF09H4LS800P CLF09H4LS800PU
   

   800 W intern vorabgestimmter GaN-HEMT im SOT-1214B-Gehäuse Der CLF09H4LS800P ist ein intern vorabgestimmter 800-W-RF-GaN-HEMT-Leistungstransistor, der bei Frequenzen von 902 MHz bis 928 MHz einsetzbar ist. Parameter Wert Hersteller Ampleon Typ RF ...
5. TB67S531FTG(O,EL) — Datasheet Toshiba
   Motor- / Bewegungs- / Zündsteuerungen & Treiber Toshiba TB67S531FTG TB67S531FTG(O,EL)
   

   BiCD Konstantstrom-Zweiphasen-Bipolar-Schrittmotortreiber-IC im 32-VQFN (5x5)-Gehäuse
6. MBR30150CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   Dioden - Gleichrichter-Array Taiwan Semiconductor MBR30150CT
   

   30 A, 150 V, Kfz-Planar-Schottky-Diode im TO-220AB-Gehäuse
7. MBR30100CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   Dioden - Gleichrichter-Array Taiwan Semiconductor MBR30100CT
   

   30 A, 100 V, Kfz-Planar-Schottky-Diode im TO-220AB-Gehäuse
8. MBR3090CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   Dioden - Gleichrichter-Array Taiwan Semiconductor MBR3090CT
   

   30 A, 90 V, Planar-Schottky-Diode für die Automobilindustrie im TO-220AB-Gehäuse
9. MBR3050CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   Dioden - Gleichrichter-Array Taiwan Semiconductor MBR3050CT
   

   30 A, 50 V, Kfz-Planar-Schottky-Diode im TO-220AB-Gehäuse
10. MBR3045CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Dioden - Gleichrichter-Array Taiwan Semiconductor MBR3045CT
    

    30 A, 45 V, Kfz-Planar-Schottky-Diode im TO-220AB-Gehäuse
11. MBR3035CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Dioden - Gleichrichter-Array Taiwan Semiconductor MBR3035CT
    

    30 A, 35 V, Kfz-Planar-Schottky-Diode im TO-220AB-Gehäuse
12. MBR3060CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Dioden - Gleichrichter-Array Taiwan Semiconductor MBR3060CT
    

    30 A, 60 V, Kfz-Planar-Schottky-Diode im TO-220AB-Gehäuse
13. JX3S0040090M — Datasheet JX Semiconductor
    Einzelne FETs, MOSFETs JX Semiconductor JX3S0040090M
    

    900-V-N-Kanal-SiC-MOSFET im TO247-3-Gehäuse Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) nutzen eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der ...
14. PAM8408DR — Datasheet Diodes
    Audioverstärker Diodes PAM8408 PAM8408DR
    

    3-Watt-Stereo-Differenzeingang Klasse D mit Speicherfunktion für Lautstärkeregelung (Auf/Ab) im SO-16L-Gehäuse Alternativteil: PAM8019E Der PAM8408 ist ein filterloser Class-D-Verstärker mit hohem Signal-Rausch-Verhältnis und Differenzeingang zur ...
15. HER307G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Dioden - Gleichrichter Single Taiwan Semiconductor HER307 HER307G
    

    75 ns, 3 A, 800 V, Hocheffizienter Erholungsgleichrichter im DO-201AD-Gehäuse
16. HER306G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Dioden - Gleichrichter Single Taiwan Semiconductor HER306 HER306G
    

    75 ns, 3 A, 600 V, Hocheffizienter Erholungsgleichrichter im DO-201AD-Gehäuse
17. HER305G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Dioden - Gleichrichter Single Taiwan Semiconductor HER305 HER305G
    

    50 ns, 3 A, 400 V, Hocheffizienter Erholungsgleichrichter im DO-201AD-Gehäuse
18. HER304G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Dioden - Gleichrichter Single Taiwan Semiconductor HER304 HER304G
    

    50 ns, 3 A, 300 V, Hocheffizienter Erholungsgleichrichter im DO-201AD-Gehäuse
19. HER303G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Dioden - Gleichrichter Single Taiwan Semiconductor HER303 HER303G
    

    50 ns, 3 A, 200 V, Hocheffizienter Erholungsgleichrichter im DO-201AD-Gehäuse
20. HER302G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Dioden - Gleichrichter Single Taiwan Semiconductor HER302 HER302G
    

    50 ns, 3 A, 100 V, Hocheffizienter Erholungsgleichrichter im DO-201AD-Gehäuse