Datasheets

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  1. Datasheet Infineon BSS316NH6327XTSA1
    N-Channel Small Signal MOSFET 30 V in SOT-23 package
  2. Datasheet TDK B57891S0103F008
    NTC-Thermistoren zur Temperaturmessung in Scheibenform, 4,5 mm Durchmesser x 4,5 mm Breite Bedrahtete NTC-Thermistoren, Anschlussabstand 2,5 mm
  1. Datasheet Central Semiconductor 2N1777A
    7,4 A, 400 V Durchgangsloch-SCR im TO-64-Gehäuse
  2. Datasheet Central Semiconductor 2N1776A
    7,4 A, 300 V Durchgangsloch-SCR im TO-64-Gehäuse
  3. Datasheet Central Semiconductor 2N1774A
    7,4 A, 200 V Durchgangsloch-SCR im TO-64-Gehäuse
  4. Datasheet Central Semiconductor 2N1772A
    7,4 A, 100 V Durchgangsloch-SCR im TO-64-Gehäuse
  5. Datasheet Digitron Semiconductors 2N6170
    13-A-Silizium-Gleichrichter im TO-48-ISO-Gehäuse Als hochzuverlässiges Bauteil gemäß MIL-PRF-19500 erhältlich, geben Sie den Suffix „-HR“ nach der Teilenummer an. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen zum Durchfluss für hochzuverlässige ...
  6. Datasheet Digitron Semiconductors 2N6169
    13-A-Silizium-Gleichrichter im TO-48-ISO-Gehäuse Als hochzuverlässiges Bauteil gemäß MIL-PRF-19500 erhältlich, geben Sie den Suffix „-HR“ nach der Teilenummer an. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen zum Durchfluss für hochzuverlässige ...
  7. Datasheet Digitron Semiconductors 2N6168
    13-A-Silizium-Gleichrichter im TO-48-ISO-Gehäuse Als hochzuverlässiges Bauteil gemäß MIL-PRF-19500 erhältlich, geben Sie den Suffix „-HR“ nach der Teilenummer an. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen zum Durchfluss für hochzuverlässige ...
  8. Datasheet Digitron Semiconductors 2N6167
    13-A-Silizium-Gleichrichter im TO-48-ISO-Gehäuse Als hochzuverlässiges Bauteil gemäß MIL-PRF-19500 erhältlich, geben Sie den Suffix „-HR“ nach der Teilenummer an. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen zum Durchfluss für hochzuverlässige ...
  9. Datasheet ON Semiconductor BC373G
    NPN-Bipolartransistor für hohe Spannungen in Darlington-Bauweise im TO-92-Gehäuse Dieser NPN-Bipolar-Darlington-Transistor ist für Schaltanwendungen wie Druckerhämmer, Relais, Magnetspulen und Lampentreiber konzipiert. Das Bauteil ist im ...
  10. Datasheet ON Semiconductor BC372G
    NPN-Bipolartransistor für hohe Spannungen in Darlington-Bauweise im TO-92-Gehäuse Dieser NPN-Bipolar-Darlington-Transistor ist für Schaltanwendungen wie Druckerhämmer, Relais, Magnetspulen und Lampentreiber konzipiert. Das Bauteil ist im ...
  11. Datasheet ON Semiconductor 2N5064RLRMG
    Empfindliche, siliziumgesteuerte Gleichrichter mit Gate-Spannung, 0,8 A RMS im TO-92-Gehäuse Sperrthyristoren der Serie 2N5060. Ringförmige PNPN-Bausteine für den Einsatz in Massenanwendungen wie Relais- und Lampentreibern, kleinen ...
  12. Datasheet ON Semiconductor 2N5061G
    Empfindliche, siliziumgesteuerte Gleichrichter mit Gate-Spannung, 0,8 A RMS im TO-92-Gehäuse Sperrthyristoren der Serie 2N5060. Ringförmige PNPN-Bausteine für den Einsatz in Massenanwendungen wie Relais- und Lampentreibern, kleinen ...
  13. Datasheet ON Semiconductor 2N5060G
    Empfindliche, siliziumgesteuerte Gleichrichter mit Gate-Spannung, 0,8 A RMS im TO-92-Gehäuse Sperrthyristoren der Serie 2N5060. Ringförmige PNPN-Bausteine für den Einsatz in Massenanwendungen wie Relais- und Lampentreibern, kleinen ...
  14. Datasheet ON Semiconductor 2N5062G
    Empfindliche, siliziumgesteuerte Gleichrichter mit Gate-Spannung, 0,8 A RMS im TO-92-Gehäuse Sperrthyristoren der Serie 2N5060. Ringförmige PNPN-Bausteine für den Einsatz in Massenanwendungen wie Relais- und Lampentreibern, kleinen ...
  15. Datasheet STMicroelectronics BD682
    PNP power Darlington transistor in SOT-32 package The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration.
  16. Datasheet STMicroelectronics BD681
    NPN power Darlington transistor in SOT-32 package The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration.
  17. Datasheet STMicroelectronics BD680
    PNP power Darlington transistor in SOT-32 package The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration.
  18. Datasheet STMicroelectronics BD679
    NPN power Darlington transistor in SOT-32 package The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration.