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100 V, 231 A Anreicherungsmodus-GaN-Leistungstransistor
Diode for 1mW Class Rectifier in DFN1212-4-HD package The NT9003HDAE4S is a 1 mW-class rectifier diode optimized for rectifier circuits in microwave WPT operating in the 920 MHz, 2.4 GHz, and 5.7 GHz bands. This diode features low forward voltage ...
- Diode for 1mW Class Rectifier in DFN1212-4-HD package The NT9002HDAE4S is a 1 mW-class rectifier diode optimized for rectifier circuits in microwave WPT operating in the 920 MHz, 2.4 GHz, and 5.7 GHz bands. This diode features low forward voltage ...
- Diode for 1W Class Rectifier in DFN1212-4-HD package The NT9001HDAE4S is a 1 W-class rectifier diode optimized for rectifier circuits in microwave WPT operating in the 920 MHz, 2.4 GHz, and 5.7 GHz bands. This diode features low forward voltage and ...
- Diode für 1-W-Gleichrichter im DFN1212-4-HD-Gehäuse Die NT9000HDAE4S ist eine 1-W-Gleichrichterdiode, optimiert für Gleichrichterschaltungen in Mikrowellen-WPT-Systemen (Wireless Power Transfer) im 920-MHz-, 2,4-GHz- und 5,7-GHz-Band. Sie zeichnet ...
Niedriger I sub D /sub -Wert , dualer, zweiphasiger synchroner Abwärtsregler für GaN-FETs im 40-poligen QFN-Gehäuse (6 mm x 6 mm, Kunststoffseite benetzbar) Der LTC7890 ist ein leistungsstarker, zweistufiger DC/DC-Schaltregler, der alle ...
100-V-Synchron-Boost-Controller mit niedrigem I/ Q-Wert für GaN-FETs im 28-poligen QFN-Gehäuse (4 mm x 5 mm, Kunststoffseite benetzbar) Der LTC7893 ist ein leistungsstarker DC/DC-Aufwärts-Schaltregler, der alle ...- Niedriger I sub Q /sub -Wert , dualer, zweiphasiger synchroner Boost-Controller für GaN-FETs im 40-poligen QFN-Gehäuse (6 mm x 6 mm, Kunststoffseite benetzbar) Der LTC7892 ist ein leistungsstarker Dual-Boost-DC/DC-Schaltregler, der alle ...
- 100 V, niedriger I/ Q-Wert , synchroner Abwärtsregler für GaN-FETs im 28-poligen QFN-Gehäuse (4 mm x 5 mm, Kunststoffseite benetzbar) Der LTC7891 ist ein leistungsstarker Abwärts-DC/DC-Schaltregler, der alle N-Kanal-Synchron-GaN-FET-Leistungsstufen ...
N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET 30 V im SOT-23-Gehäuse
NTC-Thermistoren zur Temperaturmessung in Scheibenform, 4,5 mm Durchmesser x 4,5 mm Breite Bedrahtete NTC-Thermistoren, Anschlussabstand 2,5 mm
7,4 A, 400 V Durchgangsloch-SCR im TO-64-Gehäuse- 7,4 A, 300 V Durchgangsloch-SCR im TO-64-Gehäuse
- 7,4 A, 200 V Durchgangsloch-SCR im TO-64-Gehäuse
- 7,4 A, 100 V Durchgangsloch-SCR im TO-64-Gehäuse
13-A-Silizium-Gleichrichter im TO-48-ISO-Gehäuse Als hochzuverlässiges Bauteil gemäß MIL-PRF-19500 erhältlich, geben Sie den Suffix „-HR“ nach der Teilenummer an. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen zum Durchfluss für hochzuverlässige ...- 13-A-Silizium-Gleichrichter im TO-48-ISO-Gehäuse Als hochzuverlässiges Bauteil gemäß MIL-PRF-19500 erhältlich, geben Sie den Suffix „-HR“ nach der Teilenummer an. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen zum Durchfluss für hochzuverlässige ...
- 13-A-Silizium-Gleichrichter im TO-48-ISO-Gehäuse Als hochzuverlässiges Bauteil gemäß MIL-PRF-19500 erhältlich, geben Sie den Suffix „-HR“ nach der Teilenummer an. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen zum Durchfluss für hochzuverlässige ...
- 13-A-Silizium-Gleichrichter im TO-48-ISO-Gehäuse Als hochzuverlässiges Bauteil gemäß MIL-PRF-19500 erhältlich, geben Sie den Suffix „-HR“ nach der Teilenummer an. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen zum Durchfluss für hochzuverlässige ...
NPN-Bipolartransistor für hohe Spannungen in Darlington-Bauweise im TO-92-Gehäuse Dieser NPN-Bipolar-Darlington-Transistor ist für Schaltanwendungen wie Druckerhämmer, Relais, Magnetspulen und Lampentreiber konzipiert. Das Bauteil ist im ...