Datasheets
Suchergebnisse: 324,871 Ausgabe: 1-20
Aussicht: Aufführen / Bilder
20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.- 20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
20 V, single P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.- 20 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 40 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 40 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 4-stufiger synchroner bidirektionaler Zähler Der AC169 ist ein vollsynchroner 4-stufiger Auf-/Abwärtszähler. Der AC169 ist ein Modulo-16-Binärzähler. Er verfügt über eine Voreinstellung für programmierbaren Betrieb, Carry-Lookahead für einfache ...
- 4-stufiger synchroner bidirektionaler Zähler Der AC169 ist ein vollsynchroner 4-stufiger Auf-/Abwärtszähler. Der AC169 ist ein Modulo-16-Binärzähler. Er verfügt über eine Voreinstellung für programmierbaren Betrieb, Carry-Lookahead für einfache ...
- 4-stufiger synchroner bidirektionaler Zähler Der AC169 ist ein vollsynchroner 4-stufiger Auf-/Abwärtszähler. Der AC169 ist ein Modulo-16-Binärzähler. Er verfügt über eine Voreinstellung für programmierbaren Betrieb, Carry-Lookahead für einfache ...
- 4-stufiger synchroner bidirektionaler Zähler Der AC169 ist ein vollsynchroner 4-stufiger Auf-/Abwärtszähler. Der AC169 ist ein Modulo-16-Binärzähler. Er verfügt über eine Voreinstellung für programmierbaren Betrieb, Carry-Lookahead für einfache ...
- 4-stufiger synchroner bidirektionaler Zähler Der AC169 ist ein vollsynchroner 4-stufiger Auf-/Abwärtszähler. Der AC169 ist ein Modulo-16-Binärzähler. Er verfügt über eine Voreinstellung für programmierbaren Betrieb, Carry-Lookahead für einfache ...
Bluetooth-zu-Seriell-Port-Modul
Pyroelektrischer Infrarotsensor Der pyroelektrische Infrarotsensor erkennt Infrarotstrahlung temperaturabhängig. Er unterdrückt Störungen durch Temperaturschwankungen und nutzt die Methode der komplementären Dual-Sensor-Elemente, was die Stabilität ...- 32-Bit-Universal-Mikrocontroller basierend auf dem Arm Cortex-M4 RISC Der GD32E103xx gehört zur Konnektivitätslinie der GD32 MCU-Familie. Es handelt sich um einen 32-Bit-Universal-Mikrocontroller auf Basis des Arm Cortex-M4 RISC-Kerns mit optimalem ...