Datasheets
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- Wechselstrom-Gleichtaktspule
Gleichtaktspule für Wechselstrom in vertikaler Bauform, 4-poliges Gehäuse
Vertikaler N-Kanal-Anreicherungs-DMOS-FET im E-Line-Gehäuse
AEC-Q-konforme, oberflächenmontierbare, rückstellbare PTC-Sicherung mit kurzer Auslösezeit und hohen Halteströmen im 2920-Chipgehäuse Maximale Spannung 6 - 60 V DC, Betriebsstrombereich (Haltestrom) 300 mA - 3 A, Maximalstrom 100 A, ...
Doppelspannungskomparator-IC im DIP-8-Gehäuse für Anwendungen wie Analogsignalvergleich, Schwellwerterkennung und Versorgungsspannungsüberwachung Das Gerät arbeitet mit einem breiten Versorgungsspannungsbereich, bietet einen geringen Stromverbrauch ...
1 Form A 10 A Kleine polarisierte Leistungsrelais
30V P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT23-Gehäuse- PowerTrench Single P-Channel MOSFET im SOT-23-Gehäuse Dieser P-Kanal-Logikpegel-MOSFET wird in einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt, das speziell darauf ausgelegt ist, den Durchlasswiderstand zu minimieren und gleichzeitig ...
Miniaturisierter Infrarotempfänger für Fernsteuerungen und andere Anwendungen, die eine verbesserte Umgebungslichtunterdrückung erfordern, in einem TSOP-Gehäuse mit Metallabschirmung Die separate PIN-Diode und der Vorverstärker-IC sind auf einem ...
±3% Digitaler Feuchtigkeits- und Temperatursensor Die digitale Feuchtigkeitssensor-Serie SHT2x wird in großen Stückzahlen in verschiedensten Anwendungen eingesetzt und hat sich heute zum De-facto-Industriestandard entwickelt. Die Serie umfasst eine ...
100V, 20A ePower Stage IC Integrierte High-Side- und Low-Side-eGaN-FETs mit internem Gate-Treiber und Pegelwandler. Laststrom der Leistungsstufe: 20 A. Maximale Eingangsspannung: 100 V.
100V, 20A ePower Stage IC Integrierte High-Side- und Low-Side-eGaN-FETs mit internem Gate-Treiber und Pegelwandler. Laststrom der Leistungsstufe: 20 A. Maximale Eingangsspannung: 100 V.
100V, 35A ePower Stage IC Integrierte High-Side- und Low-Side-eGaN-FETs mit internem Gate-Treiber und Pegelwandler. Laststrom der Endstufe: 35 A. Maximale Eingangsspannung: 100 V.
100V, 35A ePower Stage IC Integrierte High-Side- und Low-Side-eGaN-FETs mit internem Gate-Treiber und Pegelwandler. Laststrom der Endstufe: 35 A. Maximale Eingangsspannung: 100 V.
MMCX-Buchse str ppc 50 6g Hz brs b
SMA-Hochfrequenzanschluss
Hochfrequenzanschluss SMA-Buchse STR 50 Ohm Leiterplatte
SMA-Buchse für Kantenmontage, Schutzart IP68/IP69K, SMA-Steckverbinder, 50-Ohm-Buchse für Platinenrandmontage, Endmontage, Lötanschluss
SMA-Winkelbuchse, Messing – vergoldet, Standardpolarität, Leiterplatten-Durchsteckmontage, nicht spezifiziert
SMA-Klinkenstecker, Messing, vergoldet, Standardpolarität, Leiterplatten-Durchsteckmontage, nicht spezifiziert