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2-Bit-Dual-Supply-Bus-Transceiver mit Bushold-Funktion und konfigurierbarer Stromversorgung im SOT-765 (US8)-Gehäuse- 2-Bit-Dual-Supply-Bus-Transceiver mit konfigurierbarer Stromversorgung im SOT-765 (US8)-Gehäuse
1-Bit-Dual-Supply-Bus-Transceiver mit konfigurierbarer Stromversorgung im SOT-363 (US6)-Gehäuse
1-Bit Dual-Supply-Bus-Transceiver mit Bushold und konfigurierbarer Stromversorgung im XSON6(MP6D)-Gehäuse- 1-Bit Dual-Supply-Bus-Transceiver mit konfigurierbarer Stromversorgung im XSON6(MP6D)-Gehäuse
650 V 110 mΩ Hochspannungs-GaN-Bidirektionalschalter im TOLT-Gehäuse Der TP65B110HRU ist ein bidirektionaler 650-V-110-mΩ-Common-Drain-Schalter (BDS) auf Basis der bidirektionalen SuperGaN-Gen-I-Plattform von Renesas. Er leitet Strom und sperrt ...
Hochleistungsfähiger Drehzahlregler mit geschlossenem Regelkreis für den Einsatz in bürstenlosen Gleichstrommotor-Steuerungssystemen im SOIC-8-Gehäuse Das Präfix NCV steht für Anwendungen im Automobilbereich und andere Anwendungen, die Standort- ...- Hochleistungs-Drehzahlregleradapter mit geschlossenem Regelkreis für den Einsatz in bürstenlosen Gleichstrommotorsteuerungssystemen Der MC33039 ist ein leistungsstarker Drehzahlregler mit geschlossenem Regelkreis, der speziell für bürstenlose ...
- Wechselstrom-Gleichtaktspule
Gleichtaktspule für Wechselstrom in vertikaler Bauform, 4-poliges Gehäuse
Vertikaler N-Kanal-Anreicherungs-DMOS-FET im E-Line-Gehäuse
AEC-Q-konforme, oberflächenmontierbare, rückstellbare PTC-Sicherung mit kurzer Auslösezeit und hohen Halteströmen im 2920-Chipgehäuse Maximale Spannung 6 - 60 V DC, Betriebsstrombereich (Haltestrom) 300 mA - 3 A, Maximalstrom 100 A, ...
Doppelspannungskomparator-IC im DIP-8-Gehäuse für Anwendungen wie Analogsignalvergleich, Schwellwerterkennung und Versorgungsspannungsüberwachung Das Gerät arbeitet mit einem breiten Versorgungsspannungsbereich, bietet einen geringen Stromverbrauch ...
1 Form A 10 A Kleine polarisierte Leistungsrelais
30V P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT23-Gehäuse- PowerTrench Single P-Channel MOSFET im SOT-23-Gehäuse Dieser P-Kanal-Logikpegel-MOSFET wird in einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt, das speziell darauf ausgelegt ist, den Durchlasswiderstand zu minimieren und gleichzeitig ...
Miniaturisierter Infrarotempfänger für Fernsteuerungen und andere Anwendungen, die eine verbesserte Umgebungslichtunterdrückung erfordern, in einem TSOP-Gehäuse mit Metallabschirmung Die separate PIN-Diode und der Vorverstärker-IC sind auf einem ...
±3% Digitaler Feuchtigkeits- und Temperatursensor Die digitale Feuchtigkeitssensor-Serie SHT2x wird in großen Stückzahlen in verschiedensten Anwendungen eingesetzt und hat sich heute zum De-facto-Industriestandard entwickelt. Die Serie umfasst eine ...
100V, 20A ePower Stage IC Integrierte High-Side- und Low-Side-eGaN-FETs mit internem Gate-Treiber und Pegelwandler. Laststrom der Leistungsstufe: 20 A. Maximale Eingangsspannung: 100 V.
100V, 20A ePower Stage IC Integrierte High-Side- und Low-Side-eGaN-FETs mit internem Gate-Treiber und Pegelwandler. Laststrom der Leistungsstufe: 20 A. Maximale Eingangsspannung: 100 V.