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- 70V parallelisierbarer 4-Schalter-Buck-Boost-Regler mit Induktor-DCR-Strommessung Der LTC7878 ist ein leistungsstarker Aufwärts-/Abwärtswandler, der mit Eingangsspannungen oberhalb, unterhalb oder gleich der Ausgangsspannung arbeitet. Die ...
- PWM-Controller Der PWM-Controller SG3525A bietet verbesserte Leistung und eine geringere Anzahl externer Bauteile bei der Ansteuerung von Schaltnetzteilen aller Art. Die integrierte +5,1-V-Referenzspannung ist auf ±1 % getrimmt, und der ...
8A Feldplattierter SBR-Feldplattierter Superbarriere-Gleichrichter im PowerDI-5-Gehäuse Diese feldplattierte Super-Barrier-Gleichrichterdiode (SBR FP) eignet sich ideal für Anwendungen, die einen extrem niedrigen Sperrstrom erfordern. Dies führt zu ...
3A Feldplattierter SBR-Feldplattierter Superbarriere-Gleichrichter im SMAF-Gehäuse Diese feldplattierte Superbarriere-Gleichrichterdiode (SBR FP) eignet sich ideal für Anwendungen, die einen extrem niedrigen Sperrstrom erfordern. Dies führt zu ...- 2A Feldplattierter SBR-Feldplattierter Superbarriere-Gleichrichter im SMAF-Gehäuse Diese feldplattierte Superbarriere-Gleichrichterdiode (SBR FP) eignet sich ideal für Anwendungen, die einen extrem niedrigen Sperrstrom erfordern. Dies führt zu ...
2A Feldplattierter SBR-Feldplattierter Superbarriere-Gleichrichter im PowerDI123-Gehäuse Diese Super-Barrier-Gleichrichterdiode (SBR) eignet sich ideal für Anwendungen, die einen extrem niedrigen Sperrstrom erfordern. Dies führt zu niedrigeren ...
Miniaturrelais 2-polig - 1 bis 2 A für Signalschaltung
650-V-N-Kanal-MOSFET im TO247-4-Gehäuse Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) nutzen eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der ...
650-V-N-Kanal-MOSFET im TO247-3-Gehäuse Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) nutzen eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der ...- 650-V-N-Kanal-MOSFET im TO247-3-Gehäuse
800 W intern vorabgestimmter GaN-HEMT im SOT-1214B-Gehäuse Der CLF09H4LS800P ist ein intern vorabgestimmter 800-W-RF-GaN-HEMT-Leistungstransistor, der bei Frequenzen von 902 MHz bis 928 MHz einsetzbar ist. Parameter Wert Hersteller Ampleon Typ RF ...
BiCD Konstantstrom-Zweiphasen-Bipolar-Schrittmotortreiber-IC im 32-VQFN (5x5)-Gehäuse
30 A, 150 V, Kfz-Planar-Schottky-Diode im TO-220AB-Gehäuse- 30 A, 100 V, Kfz-Planar-Schottky-Diode im TO-220AB-Gehäuse
- 30 A, 90 V, Planar-Schottky-Diode für die Automobilindustrie im TO-220AB-Gehäuse
- 30 A, 50 V, Kfz-Planar-Schottky-Diode im TO-220AB-Gehäuse
- 30 A, 45 V, Kfz-Planar-Schottky-Diode im TO-220AB-Gehäuse
- 30 A, 35 V, Kfz-Planar-Schottky-Diode im TO-220AB-Gehäuse
- 30 A, 60 V, Kfz-Planar-Schottky-Diode im TO-220AB-Gehäuse
- 900-V-N-Kanal-SiC-MOSFET im TO247-3-Gehäuse Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) nutzen eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der ...