Datasheets
Suchergebnisse: 95,060 Ausgabe: 1-20
Aussicht: Aufführen / Bilder
Diode for 1W Class Rectifier in DFN1212-4-HD package The NT9000HDAE4S is a 1 W-class rectifier diode optimized for rectifier circuits in microwave WPT operating in the 920 MHz, 2.4 GHz, and 5.7 GHz bands. This diode features low forward voltage and ...
Low I Q , Dual, 2-Phase Synchronous Step-Down Controller for GaN FETs in 40-Lead QFN (6mm x 6mm, Plastic Side Wettable) package The LTC7890 is a high performance, dual step-down, dc-to-dc switching regulator controller that drives all N-channel ...
100V Low I Q , Synchronous Boost Controller for GaN FETs in 28-Lead QFN (4mm x 5mm, Plastic Side Wettable) package The LTC7893 is a high performance, step-up, dc-to-dc switching regulator controller that drives all N-channel synchronous gallium ...- Low I Q , Dual, 2-Phase Synchronous Boost Controller for GaN FETs in 40-Lead QFN (6mm x 6mm, Plastic Side Wettable) package The LTC7892 is a high-performance dual boost DC-to-DC switching regulator controller that drives all N-channel synchronous ...
- 100 V, Low I Q , Synchronous Step-Down Controller for GaN FETs in 28-Lead QFN (4mm x 5mm, Plastic Side Wettable) package The LTC7891 is a high performance, step-down, dc-to-dc switching regulator controller that drives all N-channel synchronous ...
N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET 30 V im SOT-23-Gehäuse
NTC-Thermistoren zur Temperaturmessung in Scheibenform, 4,5 mm Durchmesser x 4,5 mm Breite Bedrahtete NTC-Thermistoren, Anschlussabstand 2,5 mm
7,4 A, 400 V Durchgangsloch-SCR im TO-64-Gehäuse- 7,4 A, 300 V Durchgangsloch-SCR im TO-64-Gehäuse
- 7,4 A, 200 V Durchgangsloch-SCR im TO-64-Gehäuse
- 7,4 A, 100 V Durchgangsloch-SCR im TO-64-Gehäuse
13-A-Silizium-Gleichrichter im TO-48-ISO-Gehäuse Als hochzuverlässiges Bauteil gemäß MIL-PRF-19500 erhältlich, geben Sie den Suffix „-HR“ nach der Teilenummer an. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen zum Durchfluss für hochzuverlässige ...- 13-A-Silizium-Gleichrichter im TO-48-ISO-Gehäuse Als hochzuverlässiges Bauteil gemäß MIL-PRF-19500 erhältlich, geben Sie den Suffix „-HR“ nach der Teilenummer an. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen zum Durchfluss für hochzuverlässige ...
- 13-A-Silizium-Gleichrichter im TO-48-ISO-Gehäuse Als hochzuverlässiges Bauteil gemäß MIL-PRF-19500 erhältlich, geben Sie den Suffix „-HR“ nach der Teilenummer an. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen zum Durchfluss für hochzuverlässige ...
- 13-A-Silizium-Gleichrichter im TO-48-ISO-Gehäuse Als hochzuverlässiges Bauteil gemäß MIL-PRF-19500 erhältlich, geben Sie den Suffix „-HR“ nach der Teilenummer an. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen zum Durchfluss für hochzuverlässige ...
NPN-Bipolartransistor für hohe Spannungen in Darlington-Bauweise im TO-92-Gehäuse Dieser NPN-Bipolar-Darlington-Transistor ist für Schaltanwendungen wie Druckerhämmer, Relais, Magnetspulen und Lampentreiber konzipiert. Das Bauteil ist im ...- NPN-Bipolartransistor für hohe Spannungen in Darlington-Bauweise im TO-92-Gehäuse Dieser NPN-Bipolar-Darlington-Transistor ist für Schaltanwendungen wie Druckerhämmer, Relais, Magnetspulen und Lampentreiber konzipiert. Das Bauteil ist im ...
- Empfindliche, siliziumgesteuerte Gleichrichter mit Gate-Spannung, 0,8 A RMS im TO-92-Gehäuse Sperrthyristoren der Serie 2N5060. Ringförmige PNPN-Bausteine für den Einsatz in Massenanwendungen wie Relais- und Lampentreibern, kleinen ...
- Empfindliche, siliziumgesteuerte Gleichrichter mit Gate-Spannung, 0,8 A RMS im TO-92-Gehäuse Sperrthyristoren der Serie 2N5060. Ringförmige PNPN-Bausteine für den Einsatz in Massenanwendungen wie Relais- und Lampentreibern, kleinen ...
- Empfindliche, siliziumgesteuerte Gleichrichter mit Gate-Spannung, 0,8 A RMS im TO-92-Gehäuse Sperrthyristoren der Serie 2N5060. Ringförmige PNPN-Bausteine für den Einsatz in Massenanwendungen wie Relais- und Lampentreibern, kleinen ...