Datasheet Motorola MTD1N60E — Datenblatt
| Hersteller | Motorola |
| Serie | MTD1N60E |
| Artikelnummer | MTD1N60E |
Siliziumtor im N-Kanal-Verbesserungsmodus, veraltet - kein Ersatzteil
Datenblätter
TMOS E−FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount. N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate
Preise
Detaillierte Beschreibung
Dieser Hochspannungs-MOSFET verwendet ein fortschrittliches Abschlussschema, um eine verbesserte Spannungsblockierungsfähigkeit bereitzustellen, ohne die Leistung im Laufe der Zeit zu beeinträchtigen.
Darüber hinaus ist dieser fortschrittliche TMOS-E-FET so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hohen Energien standhält. Das neue energieeffiziente Design bietet auch eine Drain-Source-Diode mit einer schnellen Erholungszeit. Diese Geräte wurden für Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen in Netzteilen, Wandlern und PWM-Motorsteuerungen entwickelt und eignen sich besonders gut für Brückenschaltungen, bei denen die Diodengeschwindigkeit und der kommutierungssichere Betriebsbereich von entscheidender Bedeutung sind und einen zusätzlichen Sicherheitsspielraum gegen unerwartete Spannungstransienten bieten.
Eigenschaften
- Robuster Hochspannungsabschluss
- Lawinenenergie angegeben
- Wiederherstellungszeit der Source-to-Drain-Diode Vergleichbar mit einer diskreten schnellen Wiederherstellungsdiode
- Die Diode ist für die Verwendung in Brückenschaltungen charakterisiert
- IDSS und VDS (ein) bei erhöhter Temperatur spezifiziert
- Oberflächenmontagepaket Erhältlich in 16 mm, 13 Zoll / 2500 Stück Klebeband und Rolle. Fügen Sie der Teilenummer das T4-Suffix hinzu
Herstellerklassifikation
- Discretes & Drivers > MOSFETs