Datasheet Texas Instruments CSD19537Q3 — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieCSD19537Q3
ArtikelnummerCSD19537Q3
Datasheet Texas Instruments CSD19537Q3

100 V N-Kanal-NexFET-Leistungs-MOSFET 8-VSON-CLIP -55 bis 150

Datenblätter

CSD19537Q3 100-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 504 Kb, Revision: A, Datei veröffentlicht: May 31, 2016
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityYes

Verpackung

Pin8
Package TypeDQG
Package QTY2500
CarrierLARGE T&R
Device MarkingCSD19537
Width (mm)3.3
Length (mm)3.3
Thickness (mm)1
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

ID, Silicon limited at Tc=25degC53 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)219 A
PackageSON3x3 mm
QG Typ16 nC
QGD Typ2.9 nC
Rds(on) Max at VGS=10V14.5 mOhms
VDS100 V
VGS20 V
VGSTH Typ3.0 V

Öko-Plan

RoHSCompliant
Pb FreeYes

Anwendungshinweise

  • Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
    PDF, 1.4 Mb, Datei veröffentlicht: Nov 16, 2011

Modellreihe

Serie: CSD19537Q3 (2)

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor