Datasheet Texas Instruments CSD19536KTTT — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieCSD19536KTT
ArtikelnummerCSD19536KTTT
Datasheet Texas Instruments CSD19536KTTT

CSD19536KTT 100-V-N-Kanal-NexFET ™ -Leistungs-MOSFET 3-DDPAK / TO-263

Datenblätter

CSD19536KTT 100-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 915 Kb, Revision: B, Datei veröffentlicht: Aug 16, 2016
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityNo

Verpackung

Pin3
Package TypeKTT
Industry STD TermTO-263
JEDEC CodeR-PSFM-G
Package QTY50
CarrierSMALL T&R
Device MarkingCSD19536KTT
Width (mm)8.41
Length (mm)10.18
Thickness (mm)4.44
Pitch (mm)2.54
Max Height (mm)4.83
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC272 A
ID, package limited200 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)400 A
PackageD2PAK mm
QG Typ118 nC
QGD Typ17 nC
Rds(on) Max at VGS=10V2.4 mOhms
VDS100 V
VGS20 V
VGSTH Typ2.5 V

Öko-Plan

RoHSCompliant
Pb FreeYes

Modellreihe

Serie: CSD19536KTT (2)

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor