Datasheets - RAHMEN

Unterabschnitt: "RAHMEN"
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  1. Speicher FRAM 4M (512 K x 8) Bit SPI MB85RS4MTY ist ein FRAM-Chip (Ferroelectric Random Access Memory) in einer Konfiguration von 524.288 Wörtern x 8 Bit, der die ferroelektrischen Prozess- und Silizium-Gate-CMOS-Prozesstechnologien zur Bildung der ...
  2. Speicher FRAM 4M (512 K x 8) Bit SPI MB85RS4MTY ist ein FRAM-Chip (Ferroelectric Random Access Memory) in einer Konfiguration von 524.288 Wörtern x 8 Bit, der die ferroelektrischen Prozess- und Silizium-Gate-CMOS-Prozesstechnologien zur Bildung der ...
  3. Speicher FRAM 4M (512 K x 8) Bit SPI MB85RS4MTY ist ein FRAM-Chip (Ferroelectric Random Access Memory) in einer Konfiguration von 524.288 Wörtern x 8 Bit, der die ferroelektrischen Prozess- und Silizium-Gate-CMOS-Prozesstechnologien zur Bildung der ...
  4. Speicher FRAM 4M (512 K x 8) Bit SPI MB85RS4MTY ist ein FRAM-Chip (Ferroelectric Random Access Memory) in einer Konfiguration von 524.288 Wörtern x 8 Bit, der die ferroelektrischen Prozess- und Silizium-Gate-CMOS-Prozesstechnologien zur Bildung der ...
  1. Speicher-FRAM 4M (512 KB x 8) Bit SPI
  2. Speicher-FRAM 4M (512 KB x 8) Bit SPI
  3. Speicher-FRAM 4M (512 KB x 8) Bit SPI
  4. Speicher FRAM 8M (512K × 16) Bit
  5. Speicher FRAM 8M (512K × 16) Bit
  6. Speicher FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  7. Speicher FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  8. Speicher FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  9. Speicher FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  10. Der MR48V256C ist ein nichtflüchtiger ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher (FeRAM) mit 32.768 Wörtern und 8 Bit, der in Silizium-Gate-CMOS-Technologie hergestellt wird. Da FeRAM-Zellen nichtflüchtig sind, können Pufferbatterien zum Speichern ...
  11. Der MR45V100A ist ein nichtflüchtiger ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher (FeRAM) mit 128 KB x 8 Bit, der in Silizium-Gate-CMOS-Technologie hergestellt wird
  12. Der MR44V100A ist ein nichtflüchtiger ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher (FeRAM) mit 131.072 Wörtern und 8 Bit, der in Silizium-Gate-CMOS-Technologie hergestellt wird