Speicher FRAM 4M (512 K x 8) Bit SPI MB85RS4MTY ist ein FRAM-Chip (Ferroelectric Random Access Memory) in einer Konfiguration von 524.288 Wörtern x 8 Bit, der die ferroelektrischen Prozess- und Silizium-Gate-CMOS-Prozesstechnologien zur Bildung der ...
Der MR48V256C ist ein nichtflüchtiger ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher (FeRAM) mit 32.768 Wörtern und 8 Bit, der in Silizium-Gate-CMOS-Technologie hergestellt wird. Da FeRAM-Zellen nichtflüchtig sind, können Pufferbatterien zum Speichern ...
Der MR45V100A ist ein nichtflüchtiger ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher (FeRAM) mit 128 KB x 8 Bit, der in Silizium-Gate-CMOS-Technologie hergestellt wird
Der MR44V100A ist ein nichtflüchtiger ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher (FeRAM) mit 131.072 Wörtern und 8 Bit, der in Silizium-Gate-CMOS-Technologie hergestellt wird