Datasheets - Bipolare Einzeltransistoren Nexperia
Unterabschnitt: "Bipolare Einzeltransistoren"
Hersteller: "Nexperia"
Hersteller
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BC807 BC807-16 BC807-25 BC807-40 BC817 BC817-16 BC817-25 BC817-40 BC817DPN BC847BPN BCV61 BCV61A BCV61B BCV61C BCV62 BCX53 BF820 MMBT3906 MMBTA92 NCR320PAS NCR321PAS NCR420PAS NCR421PAS PDTC143TT PDTC143Z PEMD12 PUMD12 TLVH431NAIDBZR TLVH431NAMQDBZR TLVH431NAQDBZR TLVH431NMQDBZR TLVH431NQDBZRSuchergebnisse: 32 Ausgabe: 1-20
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- Spannungsreferenzen Nexperia TLVH431NQDBZR TLVH431NQDBZRR
Bipolare Einzeltransistoren Nexperia TLVH431NQDBZR
Einstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände. - Spannungsreferenzen Nexperia TLVH431NMQDBZR TLVH431NMQDBZRR
Bipolare Einzeltransistoren Nexperia TLVH431NMQDBZREinstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände.
- Einstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände.
- Spannungsreferenzen Nexperia TLVH431NAIDBZR TLVH431NAIDBZRR
Bipolare Einzeltransistoren Nexperia TLVH431NAIDBZREinstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände. - Spannungsreferenzen Nexperia TLVH431NAQDBZR TLVH431NAQDBZRVL
Bipolare Einzeltransistoren Nexperia TLVH431NAQDBZREinstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände. - 45 V, 500 mA NPN-Allzwecktransistoren NPN-Allzwecktransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- 45 V, 500 mA NPN-Allzwecktransistoren NPN-Allzwecktransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- 45 V, 500 mA NPN-Allzwecktransistoren NPN-Allzwecktransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- 45 V, 500 mA NPN-Allzwecktransistoren NPN-Allzwecktransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- 45 V, 500 mA PNP-Allzwecktransistoren PNP-Allzwecktransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- 45 V, 500 mA PNP-Allzwecktransistoren PNP-Allzwecktransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- 45 V, 500 mA PNP-Allzwecktransistoren PNP-Allzwecktransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- 45 V, 500 mA PNP-Allzwecktransistoren PNP-Allzwecktransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- PNP-Allzweck-Doppeltransistoren
50 V, 100 mA NPN/PNP-Doppeltransistor mit Widerstand; R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ NPN/PNP-Doppelwiderstandsbestückter Transistor (RET) in einem sehr kleinen SOT363 (SC-88) SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device).- 50 V, 100 mA NPN/PNP-Doppeltransistor mit Widerstand; R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ NPN/PNP-Doppelwiderstandsbestückter Transistor (RET) in einem sehr kleinen SOT363 (SC-88) SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device).
- 80 V, 1 A PNP-Mittelleistungstransistor PNP-Transistor mittlerer Leistung in einem SOT89-SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device). NPN-Ergänzung: BCX56.
- NPN-Hochspannungstransistoren NPN-Hochspannungstransistor in einem kleinen SOT23-Kunststoffgehäuse.
150 mA LED-Treiber in DFN2020D-6 LED-Treiber bestehend aus einem mit Widerstand ausgestatteten NPN-Transistor mit zwei Dioden auf einem Chip in einem bleifreien Kunststoffgehäuse DFN2020D-6 (SOT1118D) für oberflächenmontierte Geräte (SMD) mit ...
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