Datasheets - Bipolare Einzeltransistoren Central Semiconductor
Unterabschnitt: "Bipolare Einzeltransistoren"
Hersteller: "Central Semiconductor"
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20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) PNP-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...- 20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) PNP-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
- 20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) PNP-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
- 20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) PNP-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
- 20 V, 1 A, 2 W SMD-Transistor – Kleinsignal (≤ 1 A) PNP-Hochstrom im SOT-223-Gehäuse Eingestellt / Veraltet CBCP68 und CBCP69 sind komplementäre Siliziumtransistoren, die im Epitaxial-Planar-Verfahren hergestellt, in ein SMD-Gehäuse mit Epoxidharz ...
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