Datasheets - 7

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121. PMV65UNEAR — Datasheet Nexperia
     Einzelne FETs, MOSFETs Nexperia PMV65UNEA PMV65UNEAR
     

     20 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
122. PMV65ENEAR — Datasheet Nexperia
     Einzelne FETs, MOSFETs Nexperia PMV65ENEA PMV65ENEAR
     

     40 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

123. PMV65XPER — Datasheet Nexperia
     Einzelne FETs, MOSFETs Nexperia PMV65XPE PMV65XPER
     

     20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
124. PMV65XPEAR — Datasheet Nexperia
     Einzelne FETs, MOSFETs Nexperia PMV65XPEA PMV65XPEAR
     

     20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
125. 74AC169SC — Datasheet Fairchild
     Zähler, Teiler Fairchild 74AC169 74AC169SC
     4-stufiger synchroner bidirektionaler Zähler Der AC169 ist ein vollsynchroner 4-stufiger Auf-/Abwärtszähler. Der AC169 ist ein Modulo-16-Binärzähler. Er verfügt über eine Voreinstellung für programmierbaren Betrieb, Carry-Lookahead für einfache ...
126. HC-05 — Datasheet -
     

     Bluetooth-zu-Seriell-Port-Modul
127. GD32E103VBT6 — Datasheet GigaDevice
     Mikrocontroller (MCU) GigaDevice GD32 GD32E103 GD32E103VBT6
     32-Bit-Universal-Mikrocontroller basierend auf dem Arm Cortex-M4 RISC Der GD32E103xx gehört zur Konnektivitätslinie der GD32 MCU-Familie. Es handelt sich um einen 32-Bit-Universal-Mikrocontroller auf Basis des Arm Cortex-M4 RISC-Kerns mit optimalem ...
128. CDRH4D28CLDNP-1R0PC — Datasheet Sumida
     Feste Induktivitäten Sumida CDRH4D28C/LD CDRH4D28CLDNP-1R0PC
     

     SMD-Leistungsinduktivität • Ferrit-Trommelkernkonstruktion. • Magnetisch abgeschirmt. • L×B×H: 5,1×5,1×3,0 mm max. • Produktgewicht: 212 mg (Ref.) • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 1 • RoHS-Konformität. • Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis ...
129. CDRH4D28CNP-1R1PC — Datasheet Sumida
     Feste Induktivitäten Sumida CDRH4D28C CDRH4D28CNP-1R1PC
     

     SMD-Leistungsinduktivität • Ferrit-Trommelkernkonstruktion. • Magnetisch abgeschirmt. • L×B×H: 5,1×5,1×3,0 mm max. • Produktgewicht: 212 mg (Ref.) • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 1 • RoHS-Konformität. • Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis ...
130. B0530WS RRG — Datasheet Taiwan Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter Taiwan Semiconductor B0530W B0530WS RRG
     

     SOD-123, 30 V, 0,5 A, Schottky-Diode
131. B0520LW RHG — Datasheet Taiwan Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter Taiwan Semiconductor B0520LW B0520LW RHG
     

     SOD-123, 20 V, 0,5 A, Schottky-Diode
132. B0540W — Datasheet Taiwan Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter Taiwan Semiconductor B0540W
     

     SOD-123, 40 V, 0,5 A, Schottky-Diode
133. SI5351A-B-GT — Datasheet Skyworks
     Spannungsgesteuerte Oszillatoren Skyworks Si5351 SI5351A-B-GT
     I 2 C-programmierbarer CMOS-Taktgenerator mit beliebiger Frequenz + VCXO Der Si5351 ist ein I2C-konfigurierbarer Taktgenerator, der sich ideal zum Ersatz von Quarzen, Quarzoszillatoren, VCXOs, Phasenregelkreisen (PLLs) und Fanout-Puffer in ...
134. SI5351A-B-GT — Datasheet Silicon Labs
     Spannungsgesteuerte Oszillatoren Silicon Labs Si5351 SI5351A-B-GT
     I 2 C-programmierbarer CMOS-Taktgenerator mit beliebiger Frequenz + VCXO Der Si5351 ist ein I2C-konfigurierbarer Taktgenerator, der sich ideal zum Ersatz von Quarzen, Quarzoszillatoren, VCXOs, Phasenregelkreisen (PLLs) und Fanout-Puffer in ...
135. G9H — Datasheet Omron
     Halbleiterrelais Omron G9H
     Hybridisierung eines Magnetrelais und eines Halbleiterrelais (SSR) ermöglicht 10-A-Schaltleistung für 10 Millionen Schaltvorgänge Reduziert den Verdrahtungsaufwand um 60 % in Kombination mit der Push-In Plus-Buchse PTF-08-PU (gemäß tatsächlichen ...
136. RJU003N03T106 — Datasheet Rohm
     Einzelne FETs, MOSFETs Rohm RJU003N03 RJU003N03T106
     2,5-V-Treiber-N-Kanal-MOSFET
137. RJU003N03FRAT106 — Datasheet Rohm
     Einzelne FETs, MOSFETs Rohm RJU003N03FRA RJU003N03FRAT106
     

     2,5-V-Drive-Nch-MOSFET (AEC-Q101-qualifiziert) im SOT-323-Gehäuse MOSFETs werden durch die Mikroverarbeitungstechnologien, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind, als extrem niedrige EIN-Beständigkeit hergestellt. In ...
138. CUS10S30,H3F — Datasheet Toshiba
     Schottky-Dioden & Gleichrichter Toshiba CUS10S30 CUS10S30,H3F
     

     Kleinsignal-Schottky-Diode
139. MCP9604-E/3YW — Datasheet Microchip
     Temperatursensoren Microchip MCP9604 MCP9604-E/3YW
     Temperatursensorregler Microchip MCP9604
     

     4-Kanal-Thermoelement-Konditionierungs-IC 1,5 C Vierkanal-Thermoelement-Konditionierungs-IC Der MCP9604 ist ein vollintegrierter 4-Kanal-Thermoelement-Schnittstellen-zu-Grad-Celsius-Konverter-IC. Er verfügt über eine integrierte ...
140. RV4LF0GBS102MA — Datasheet Vishay
     Potentiometer, variable Widerstände Vishay RV4L RV4LF0GBS102MA
     

     Langlebiges/Hochleistungspotentiometer Hohe Nennleistung von 2 W bei 70 °C. Abgedichtet bis IP 67. Geringe Kontaktwiderstandsschwankung (typischerweise 2 %).