Datasheet F3L11MR12W2M1_B65 (Infineon) - 8
| Hersteller | Infineon |
| Beschreibung | 3-Level 1200 V CoolSiC™ Module |
| Seiten / Seite | 11 / 8 — VorläufigeDaten. PreliminaryData. … |
| Revision | 02_01 |
| Dateiformat / Größe | PDF / 675 Kb |
| Dokumentensprache | Englisch |
VorläufigeDaten. PreliminaryData. ÜbertragungscharakteristikIGBT,3-Level(typisch). TransienterWärmewiderstandIGBT,3-Level
Modelllinie für dieses Datenblatt
Textversion des Dokuments
F3L11MR12W2M1_B65
VorläufigeDaten PreliminaryData ÜbertragungscharakteristikIGBT,3-Level(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,3-Level transfercharacteristicIGBT,3-Level(typical) transientthermalimpedanceIGBT,3-Level
IC=f(VGE) ZthJH=f(t) VCE=20V 200 1 Tvj = 25°C ZthJH : IGBT Tvj = 125°C 180 Tvj = 150°C 160 140 0,1 120 [A] 100 [K/W] C I thJH Z 80 0,01 60 40 i: 1 2 3 4 20 ri[K/W]: 0,013 0,0321 0,0769 0,533 τi[s]: 0,000909 0,0109 0,0459 0,308 0 0,001 5 6 7 8 9 10 11 12 13 0,001 0,01 0,1 1 10 VGE [V] t [s]
DurchlasskennliniederDiode,3-Level(typisch) TransienterWärmewiderstandDiode,3-Level forwardcharacteristicofDiode,3-Level(typical) transientthermalimpedanceDiode,3-Level
IF=f(VF) ZthJH=f(t) 100 10 Tvj = 25°C ZthJH : Diode Tvj = 125°C 90 Tvj = 150°C 80 1 70 60 [A] 50 [K/W] 0,1 F I thJH Z 40 30 0,01 20 i: 1 2 3 4 10 ri[K/W]: 0,058 0,213 0,5 0,399 τi[s]: 0,000642 0,013 0,112 0,422 0 0,001 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 0,001 0,01 0,1 1 10 VF [V] t [s] Datasheet 8 V2.1 2019-06-26 Document Outline / MOSFET / MOSFET IGBT,3-Level / IGBT,3-Level Diode, 3-Level / Diode, 3-Level Modul / Module NTC-Widerstand / NTC-Thermistor Diagramme / charts Diagramme / charts Diagramme / charts Diagramme / charts Schaltplan / Circuit diagram Gehäuseabmessungen / Package outlines /
VorläufigeDaten PreliminaryData ÜbertragungscharakteristikIGBT,3-Level(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,3-Level transfercharacteristicIGBT,3-Level(typical) transientthermalimpedanceIGBT,3-Level
IC=f(VGE) ZthJH=f(t) VCE=20V 200 1 Tvj = 25°C ZthJH : IGBT Tvj = 125°C 180 Tvj = 150°C 160 140 0,1 120 [A] 100 [K/W] C I thJH Z 80 0,01 60 40 i: 1 2 3 4 20 ri[K/W]: 0,013 0,0321 0,0769 0,533 τi[s]: 0,000909 0,0109 0,0459 0,308 0 0,001 5 6 7 8 9 10 11 12 13 0,001 0,01 0,1 1 10 VGE [V] t [s]
DurchlasskennliniederDiode,3-Level(typisch) TransienterWärmewiderstandDiode,3-Level forwardcharacteristicofDiode,3-Level(typical) transientthermalimpedanceDiode,3-Level
IF=f(VF) ZthJH=f(t) 100 10 Tvj = 25°C ZthJH : Diode Tvj = 125°C 90 Tvj = 150°C 80 1 70 60 [A] 50 [K/W] 0,1 F I thJH Z 40 30 0,01 20 i: 1 2 3 4 10 ri[K/W]: 0,058 0,213 0,5 0,399 τi[s]: 0,000642 0,013 0,112 0,422 0 0,001 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 0,001 0,01 0,1 1 10 VF [V] t [s] Datasheet 8 V2.1 2019-06-26 Document Outline / MOSFET / MOSFET IGBT,3-Level / IGBT,3-Level Diode, 3-Level / Diode, 3-Level Modul / Module NTC-Widerstand / NTC-Thermistor Diagramme / charts Diagramme / charts Diagramme / charts Diagramme / charts Schaltplan / Circuit diagram Gehäuseabmessungen / Package outlines /