Datasheet NTE395 - NTE Electronics BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -25 V — Datenblatt

Detaillierte Beschreibung

Manufacturer: NTE Electronics

Description: BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -25 V

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Docket:
NTE395 Silicon PNP Transistor Wide Band Linear Amplifier
Absolute Maximum Ratings: Collector­Base Voltage, VCBO .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Collector­Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Emitter­Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA Power Dissipation (TA = +25°C), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225mW Power Dissipation (TC = +25°C), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360mW Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . .

Specifications:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 25 V
• DC Collector Current: 50 mA
• DC Current Gain Max (hfe): 20
• Power Dissipation Pd: 225 mW
• Transistor Polarity: PNP
• Transition Frequency Typ ft: 2.3 GHz