Datasheet Ampleon CLF09H4LS800PJ — Datenblatt

HerstellerAmpleon
SerieCLF09H4LS800P
ArtikelnummerCLF09H4LS800PJ
Datasheet Ampleon CLF09H4LS800PJ

800 W intern vorabgestimmter GaN-HEMT im SOT-1214B-Gehäuse

Datenblätter

Brochure "RF power application reports for ISM, broadcast, navigation and safety radio applications"
PDF, 3.5 Mb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Sep 28, 2026, Seiten: 22
Application Catalog - RF power solutions for MultiMarket / September 2026 / Advancing society through RF
Auszug aus dem Dokument

Detaillierte Beschreibung

Der CLF09H4LS800P ist ein intern vorabgestimmter 800-W-RF-GaN-HEMT-Leistungstransistor, der bei Frequenzen von 902 MHz bis 928 MHz einsetzbar ist.

Parameter Wert
Hersteller Ampleon
Typ RF GaN HEMT, intern vorabgestimmt
Technologie GaN auf SiC
Betriebsfrequenz 902–928 MHz
Ausgangsleistung 800 W
Versorgungsspannung 50 V
Abflusseffizienz Bis zu 81,8 % CW
Leistungszuwachs Bis zu 17,4 dB bei 928 MHz
Paket ACC-780 / SOT1214B
Montage Hochleistungs-HF-Paket

Modellreihe

Serie: CLF09H4LS800P (2)