Datasheet Ampleon CLF09H4LS800PJ — Datenblatt
| Hersteller | Ampleon |
| Serie | CLF09H4LS800P |
| Artikelnummer | CLF09H4LS800PJ |

800 W intern vorabgestimmter GaN-HEMT im SOT-1214B-Gehäuse
Datenblätter
Brochure "RF power application reports for ISM, broadcast, navigation and safety radio applications"
PDF, 3.5 Mb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Sep 28, 2026, Seiten: 22
Application Catalog - RF power solutions for MultiMarket / September 2026 / Advancing society through RF
Application Catalog - RF power solutions for MultiMarket / September 2026 / Advancing society through RF
Auszug aus dem Dokument
Detaillierte Beschreibung
Der CLF09H4LS800P ist ein intern vorabgestimmter 800-W-RF-GaN-HEMT-Leistungstransistor, der bei Frequenzen von 902 MHz bis 928 MHz einsetzbar ist.
| Parameter | Wert |
|---|---|
| Hersteller | Ampleon |
| Typ | RF GaN HEMT, intern vorabgestimmt |
| Technologie | GaN auf SiC |
| Betriebsfrequenz | 902–928 MHz |
| Ausgangsleistung | 800 W |
| Versorgungsspannung | 50 V |
| Abflusseffizienz | Bis zu 81,8 % CW |
| Leistungszuwachs | Bis zu 17,4 dB bei 928 MHz |
| Paket | ACC-780 / SOT1214B |
| Montage | Hochleistungs-HF-Paket |
Modellreihe
Serie: CLF09H4LS800P (2)
- CLF09H4LS800PJ CLF09H4LS800PU