Datasheet Inchange Semiconductor IXFH26N50 — Datenblatt

HerstellerInchange Semiconductor
SerieIXFH26N50
ArtikelnummerIXFH26N50
Datasheet Inchange Semiconductor IXFH26N50

N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-247-Gehäuse

Datenblätter

Datasheet IXFH26N50
PDF, 396 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Dec 1, 2025, Seiten: 2
N-Channel MOSFET Transistor in TO-247 package
Auszug aus dem Dokument

Detaillierte Beschreibung

Merkmale

  • Drainstrom: ID = 26 A bei TC = 25 °C
  • Drain-Source-Spannung: VDSS = 500 V (Min.)
  • Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand: RDS(on) = 0,2 Ω (Max) bei VGS = 10 V
  • 100 % lawinengeprüft
  • Minimale Chargenabweichungen für robuste Geräteperformance und zuverlässigen Betrieb