Datasheet Diodes DMTH4008LFDFWQ-7 — Datenblatt
| Hersteller | Diodes |
| Serie | DMTH4008LFDFWQ |
| Artikelnummer | DMTH4008LFDFWQ-7 |
40 V +175 °C N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET
Datenblätter
Datasheet DMTH4008LFDFWQ
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40V +175?C N-Channel Enhancement Mode MOSFET
40V +175?C N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Auszug aus dem Dokument
Detaillierte Beschreibung
Dieser MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen zu erfüllen.
Er ist nach AEC-Q101 qualifiziert, wird durch ein PPAP unterstützt und eignet sich ideal für den Einsatz in: Energieverwaltungsfunktionen, DC-DC-Wandlern und Hintergrundbeleuchtung.
Parameter
| AEC Qualified | Yes |
| CISS Condition @|VDS| (V) | 20 V |
| CISS Typ (pF) | 1030 pF |
| Compliance (Only Automotive Supports PPAP) | Automotive |
| ESD Diodes (Y|N) | No |
| PD @TA = +25°C (W) | 2.35 W |
| Polarity | N |
| QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) | 14.2 nC |
| QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) | 6.8 nC |
| RDS(ON)Max@ VGS(10V) (mΩ) | 11.5 mΩ |
| RDS(ON)Max@ VGS(4.5V) (mΩ) | 18 mΩ |
| |IDS| @TA = +25°C (A) | 11.6 A |
| |VDS| (V) | 40 V |
| |VGS(TH)| Max (V) | 3 V |
| |VGS(TH)| Min (V) | 1 V |
| |VGS| (±V) | 20 ±V |
Modellreihe
Serie: DMTH4008LFDFWQ (6)
Herstellerklassifikation
- Discrete Semiconductors > MOSFETs > DMTH4008LFDFWQ
Andere Namen:
DMTH4008LFDFWQ7, DMTH4008LFDFWQ 7